據韓媒ETNews報道，三星電子在DRAM內存製造領域取得重大突破，率先採用乾式光刻膠（Dry PR）技術，該技術將應用於其即將推出的第6代10納米級工藝（1c nm）。目前，三星已完成乾式光刻膠塗覆、顯影等工序所需的多臺泛林集團設備部署。與傳統溼式光刻膠相比，乾式光刻膠直接沉積到晶圓表面，避免了液體表面張力對圖案完整性的影響，同時具備更高的曝光效率和更精細的線寬能力。三星計劃將這一技術應用於其...
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