金融界2025年6月10日消息，國家知識產權局信息顯示，上海理想汽車科技有限公司申請一項名為「電場鉗位結構及溝槽柵晶體管」的專利，公開號CN120129284A，申請日期為2023年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種電場鉗位結構及溝槽柵晶體管。其中，該電場鉗位結構，應用於溝槽柵晶體管，包括：多個間隔設定的PN結，PN結由層疊設定的第一摻雜區和第二摻雜區形成，相鄰PN結之間...
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