金融界2025年6月14日消息，國家知識產權局信息顯示，華虹半導體（無錫）有限公司申請一項名爲“閃存器件的製造方法”的專利，公開號CN120152287A，申請日期爲2025年03月。專利摘要顯示，本發明提供一種閃存器件的製造方法，提供襯底，襯底包含存儲區、載帶區和外圍邏輯區，在存儲區和外圍邏輯區上形成疊層結構，疊層結構由自下而上依次堆疊的耦合層、浮柵多晶硅層、極間介質層、控制柵多晶硅層組成；在...
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