近日，英特爾高層罕見公開表示，未來芯片製造流程將不再以"光罩技術"為中心，而是由晶體管架構的根本性變革主導，這一言論為ASML新一代High-NA EUV光刻機的廣泛應用前景蒙上陰影。根據投資研究平台Tegus分享的高層訪談內容，該英特爾主管強調，隨着GAAFET（環繞閘極）與CFET（互補式FET）等新一代晶體管架構逐漸成熟，芯片製程的關鍵控制點將從分辨率極限的光罩工序，轉向精密的蝕刻（...
網頁鏈接近日，英特爾高層罕見公開表示，未來芯片製造流程將不再以"光罩技術"為中心，而是由晶體管架構的根本性變革主導，這一言論為ASML新一代High-NA EUV光刻機的廣泛應用前景蒙上陰影。根據投資研究平台Tegus分享的高層訪談內容，該英特爾主管強調，隨着GAAFET（環繞閘極）與CFET（互補式FET）等新一代晶體管架構逐漸成熟，芯片製程的關鍵控制點將從分辨率極限的光罩工序，轉向精密的蝕刻（...
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