（信息來源：thebell）

三星電子和SK海力士計劃在今年下半年量產的下一代高帶寬存儲器（HBM），其生產成本將大幅上升。這主要受到核心裸晶（core die）尺寸增加導致單位晶圓可產芯片數（net die）減少，以及基礎裸晶（base die）外包代工的影響。

業內人士指出，SK海力士、三星電子等企業難以將增加的HBM成本完全轉嫁給客戶。因爲美光（Micron）開始向英偉達供應HBM，打破了SK海力士此前的獨佔局面。

I/O數量增加，致使單位晶圓芯片數減少

據業界消息，SK海力士和美光目前正在爲HBM4準備量產，其中用於HBM4的核心裸晶，其單位晶圓芯片數相比HBM3E有所減少，原因是I/O（輸入輸出接口）數量增加。

SK海力士和美光在HBM4核心裸晶中使用10nm第五代DRAM（1b DRAM），與HBM3E使用的DRAM世代相同。然而，由於I/O數量增加到2048個，預計單位晶圓的產出芯片數會有所下降。

I/O是內存與處理器之間傳輸數據的通道。HBM相較傳統DRAM，主打I/O大幅增加這一特點：HBM3E爲1024個I/O，而HBM4達到2048個。

I/O數量增加直接導致核心裸晶尺寸擴大，進而降低單位晶圓的可產芯片數。HBM核心裸晶本身尺寸就比普通DRAM大，很大程度上就是由於I/O數量的差異。例如GDDR的I/O數量僅爲32個。

不過，儘管I/O數量增加，三星電子HBM4核心裸晶的單位晶圓產出量預計將略有上升。原因是三星在HBM4中使用的是10nm第六代DRAM（1c DRAM），相比之下世代更先進。通常DRAM每進一個新世代，單位晶圓芯片數都會增加。此前，三星在HBM3E中採用的是10nm第四代DRAM（1a DRAM）。

儘管單位晶圓芯片數有所改善，三星的HBM4製造成本仍可能高於競爭對手。這是因爲製程複雜度提升，1c DRAM的製造成本高於上一代產品。

因此，業界預測HBM4的12層堆疊產品價格將超過600美元。目前HBM3 8層（24GB）和HBM3E 8層（36GB）產品的價格分別約在200美元出頭和300美元后段區間。

不過儘管價格上漲，業內人士認爲存儲廠商的利潤空間仍將有所壓縮，因爲後發廠商美光正在快速擴大HBM的生產能力。調研機構TrendForce預測，美光的HBM月產能將從去年底的2萬片提升至今年底的6萬片。

HBM4基礎裸晶使用代工廠生產，成本上升的主因之一

HBM4的基礎裸晶轉由晶圓代工廠（foundry）製程生產，也是推動成本上升的關鍵因素之一。此前，HBM3E及以前的產品，其基礎裸晶均由存儲企業通過自家DRAM工藝生產。

存儲廠商選擇通過晶圓代工來生產HBM4基礎裸晶，是爲了滿足HBM不斷提升的性能需求。隨着客戶要求日益提高，傳統基礎裸晶已無法滿足下一代HBM的控制需求。採用代工工藝還能帶來電力與散熱方面的效率優勢。

因此，各大存儲廠商正與代工廠展開合作來生產基礎裸晶。三星使用自家的晶圓代工廠，而SK海力士和美光則採用臺積電（TSMC）的代工服務。據悉，SK海力士只與臺積電合作到後段佈線工藝（BEOL），後續的晶圓測試和HBM堆疊等流程仍將在其自家後段工廠中完成。

未來，基礎裸晶的重要性預計將進一步上升。英偉達、AMD、微軟等主要AI芯片公司已對基礎裸晶提出定製化（customization）需求。據悉，這些AI芯片企業正與存儲廠商共同探討包括3D HBM在內的多種HBM新型態產品開發。