（信息來源：thebell）三星電子和SK海力士計劃在今年下半年量產的下一代高帶寬存儲器（HBM），其生產成本將大幅上升。這主要受到核心裸晶（core die）尺寸增加導致單位晶圓可產芯片數（net die）減少，以及基礎裸晶（base die）外包代工的影響。業內人士指出，SK海力士、三星電子等企業難以將增加的HBM成本完全轉嫁給客戶。因爲美光（Micron）開始向英偉達供應HBM，打破了SK...
網頁鏈接（信息來源：thebell）三星電子和SK海力士計劃在今年下半年量產的下一代高帶寬存儲器（HBM），其生產成本將大幅上升。這主要受到核心裸晶（core die）尺寸增加導致單位晶圓可產芯片數（net die）減少，以及基礎裸晶（base die）外包代工的影響。業內人士指出，SK海力士、三星電子等企業難以將增加的HBM成本完全轉嫁給客戶。因爲美光（Micron）開始向英偉達供應HBM，打破了SK...
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