美光科技漲超2%,成為英偉達SOCAMM內存芯片首家供應商

老虎資訊綜合
06-17

週二,美光漲逾2%,股價創2024年7月16日以來新高,年內漲幅超45%。據媒體報道,英偉達已選定美光科技作爲其下一代內存解決方案SOCAMM的首家供應商。

SOCAMM(小型壓縮附加內存模塊)是一種專爲數據中心AI服務器設計的新型高性能、低功耗內存。該技術因在AI加速中的關鍵作用而被部分業界人士視爲“第二代高帶寬存儲器(HBM)”。

英偉達此前委託三星電子、美光等內存製造商開發SOCAMM原型。憑藉在低功耗DRAM性能上的優勢,美光率先獲得英偉達的量產批准,超越了規模更大的競爭對手三星。目前,三星等韓國內存供應商雖已開發出SOCAMM芯片,但尚未獲得英偉達認證。

與垂直堆疊並與GPU緊密集成的HBM不同,SOCAMM主要支持中央處理器(CPU),在優化AI工作負載方面扮演關鍵的支撐角色。

首批SOCAMM模塊基於堆疊式LPDDR5X芯片,由英偉達設計,將應用於其計劃於2026年發佈的下一代AI加速器平臺Rubin。

SOCAMM採用引線鍵合和銅互連技術,每個模塊連接16個DRAM芯片——這與HBM使用的硅通孔技術形成鮮明對比。銅互連結構顯著增強了散熱性能,這對AI系統的穩定運行和可靠性至關重要。

美光宣稱其最新LPDDR5X芯片能效比競爭對手高出20%,這是其贏得英偉達訂單的關鍵因素。考慮到每臺AI服務器將搭載四個SOCAMM模塊(總計256個DRAM芯片),散熱效率的重要性尤爲突出。

分析師認爲,SOCAMM的可擴展性意味着它未來可能應用於更廣泛的英偉達產品線,包括其即將推出的個人超級計算機項目DIGITS。

美光在低發熱量內存技術上的突破,也有望提升其在競爭激烈的HBM領域的地位。隨着行業向需要堆疊12層甚至16層DRAM的HBM4邁進,熱管理已成爲關鍵的差異化因素。

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