今天，臺積電2025技術研討會中國站在上海召開，一大批臺積電生態夥伴應邀參會，在本次大會上，臺積電分享了以下重要技術信息，透露了未來5年半導體工藝技術重要演進信息。

隨着高端設備向先進製程技術邁進，半導體市場的長期需求持續增長。這一趨勢主要由邊緣計算場景對高能效處理的迫切需求驅動，尤其是在 AI 功能深度集成的情況下。汽車產業的成長推動了先進邏輯如 N4、N3 以及 N6RF 工藝在自動駕駛領域的加速應用。

以指數級成長的數據中心正推動 5 納米和 3 納米設計，並加速 CoWoS®和SoIC®封裝技術的發展，以提高效能並優化能源效率。

臺積公司預測，到 2030 年，半導體市場將達到 1 萬億美元，由高性能計算（HPC）（45%）、智能手機（25%）、汽車（15%）和物聯網（10%）等應用主導。

TSMC 3DFabric®技術：

TSMC-SoIC 平臺用於 3D 硅堆疊，由 SoIC-P 和 SoIC-X 兩種堆疊方案組成。用於 N3-on-N4 堆疊的 SoIC 技術將於 2025 年進入量產，其間距爲 6μm。下一代 SoIC A14-on-N2 將於 2029 年準備就緒。

用於帶寬擴展的硅光子解決方案:

光收發器可實現高速、低能耗、可靠的數據傳輸。臺積公司的 SoIC 技術將電子和光子裸晶堆疊在一起，以實現更高的互連密度和更低的系統功耗。從電路板層到中介層的光引擎整合可提供 10 倍以上的功耗優勢

系統級晶圓（TSMC-SoW™）技術：

這項創新的邏輯和 HBM 晶圓級整合，可滿足 AI 訓練對運算能力激增的需求。SoW 平臺將所有必要的元件，例如連接器、電源模塊和冷卻模塊整合在一起。 臺積電推出了 SoW-X，這是一款基於 CoWoS 技術和晶圓尺寸的系統，其運算能力比現有的 CoWoS 解決方案高 40 倍，相當於整座服務器機架的水平。

SoW-X 計劃於 2027 年量產。

特殊製程技術：

智能汽車技術包括：

汽車先進邏輯技術路線圖：

▪ 汽車客戶採用臺積電最先進的邏輯技術（從 N7A、N5A 到 N3A），開發自動駕駛功能與人工智能座艙。客戶可以使用 N7A 技術輕鬆滿足 L2 級先進駕駛輔助系統（ADAS）的設計需求。隨着 L2+至 L3/L4 級 ADAS 對人工智能計算需求的增長，客戶正在向採用 N5A 甚至 N3A 技術轉型，以實現更優的速度與性能表現。每代技術較上一代可提升約 20%的運算速度，或降低30% - 40%的功耗。

▪臺積電所有汽車技術均滿足汽車 Grade-1 標準，符合嚴格的 DPPM（每百萬缺陷器件數）要求。N3A 正按計劃推進 DPPM 改善，預計該技術將於今年年底通過汽車行業相關認證並準備就緒。

o 車用先進封裝：

硅定義汽車：在自動駕駛功能所需算力增長的驅動下，汽車半導體硅含量（silicon content）急速增加。爲了滿足這些需求，業界正在加速採用 N3A、N5A 等先進邏輯節點技術。

▪ 傳統模式下，汽車要搭載多達 100 個微控制器（MCUs），每個微控制器均配備嵌入式非易失性存儲器（eNVM）。而該模式正在向數量更少、性能更強的計算節點過渡，它具有集中式內存架構和計算資源（對實現自動駕駛功能至關重要）。

▪ 汽車在向區域架構轉變時需要在每個 MCU 中集成更高效的算力。這種演進正推動行業快速採用 FinFET 技術，以實現更高的性能和能源效率。

o 通過臺積公司的 3D 高密度金屬-絕緣體-金屬（MiM）電容，橫向溢流整合電容（LOFIC）影像傳感器具備高動態範圍，可應對光線條件的突然變化。

▪ 針對車用先進駕駛輔助系統（ADAS），它能在不犧牲光線性能和生成效果的情況下，提供超過 100 dB 的 LED 無閃爍動態範圍。

o 用於毫米波雷達的 16FFC 射頻製程技術。

o 下一代電阻式隨機存取內存（RRAM）和磁阻式隨機存取內存（MRAM）28 納米的 RRAM 已通過汽車應用認證，預計 12 納米的 RRAM 也能夠滿足嚴苛的汽車 PPM 要求。

▪ 22 納米 MRAM 已進入量產，16 納米 MRAM 已爲客戶準備就緒，12納米的 MRAM 正在開發中。臺積公司正在驗證 MRAM 和 RRAM 分別微縮至 5 納米和 6 納米的未來可擴展性。

臺積電以下列技術支持各項物聯網應用：

已開始 N4e 的探索性開發，旨在繼續降低 Vdd（正電源電壓）。此外，超低漏電 SRAM 和邏輯電路進一步降低了漏電功率，從而延長電池壽命。

o 臺積電先進的射頻技術將有效降低能耗並推動尺寸微縮，從而提高產品競爭力並優化使用者體驗。這些技術增強了如模擬單元、LDMOS、低 Vdd支持範圍和低噪聲組件等功能。

隨着 AI 開始向智能手機及其他領域的邊緣設備發展，繼 N6RF+之後，臺積公司推出了下一代射頻技術 N4C RF。與 N6RF+ 相比，N4C RF 的功耗和麪積減少 30%。N4C RF 旨在提供高速、低延遲的無線連接以傳輸大量數據，並能符合 WiFi 8 和具備豐富 AI 功能的真無線立體聲（True Wireless Stereo）等新興標準。 預計於 2026 年第一季度進入試產。

在顯示器技術方面，臺積公司宣佈推出業界首款 FinFET 高壓平臺解決方案，適用於可摺疊 / 超薄 OLED 和 AR 眼鏡。與 28HV 相比，16HV 預計可將 DDIC（顯示器驅動 IC）功耗降低約 28%，邏輯密度提升約 41%。

卓越製造

爲滿足客戶對 AI 應用的強勁需求，臺積電不斷擴大先進製程產能。臺積電2025 年與 AI 相關產品的晶圓出貨量預計爲 2021 年的 12 倍。臺積電2025 年大尺寸芯片的產品出貨量預計爲 2021 年的 8 倍。芯片尺寸越大，管理生產良率的挑戰就越高。臺積公司已證明其在應用先進技術的大尺寸芯片生產方面擁有卓越的製造能力。

在先進封裝領域，從 2022 年到 2026 年，SoIC 產能增長的年複合增長率（CAGR）將超過 100%，CoWoS 產能增長的年複合增長率將超過 80%。

臺積電正在進入 Foundry 2.0 新時代，在這個時代中，封裝與測試已成爲晶圓製造服務不可或缺的環節。

2025 年，臺積電將新增九座設施，包括位於臺灣地區的六座晶圓廠與一座先進封裝設施，以及兩座位於海外的晶圓廠。在全球佈局上，臺積公司持續投資以擴充產能，致力於滿足 AI、汽車等各領域的客戶需求並拓展至更多的應用領域。

在綠色製造方面，臺積公司承諾以負責任且循環永續的方式推動創新，致力於實現以下目標：

淨零排放：臺積電承諾於 2040 年實現 RE100（100%使用可再生能源）的目標，並於 2050 年實現淨零排放。積極採用可再生能源，透過導入節能工具與開發碳捕捉技術控制溫室氣體排放，進而達成目標。

▪臺積電於 4 月 22 日宣佈加入科學基礎減碳目標倡議（SBTi），並承諾在未來十年內，依據 SBTi 企業淨零標準，設定與之相符的範疇一、範疇二及範疇三排放的絕對減量目標。

負責任供應鏈：臺積電與供貨商緊密合作，致力於減少供應鏈環節的碳排放，目標是在 2030 年前降低超過 50%的碳排放。臺積公司持續投資可再生能源採購、增加減碳補貼，以及採用低碳技術，例如藍氨（BlueNH3）、電子級材料的回收利用以及碳捕捉技術。

減少廢棄物：臺積電目標到 2030 年實現 98%的資源回收率。臺積電建設了業界首個零廢製造中心，並已於 2024 年投入運營。該中心將廢棄的異丙醇（IPA）轉化爲電子級 IPA，可重新用於半導體制造流程中。

臺積電長期致力於再生水利用，地下水修復和資源多元化。從 2021 年到2025 年，臺積公司上海和南京的晶圓廠在五年內，把工業用水循環利用率提升至 97%以上，每年節水當量相當於西湖水量的 1.2 倍，未來還將繼續提升。在水質指數方面，上海和南京晶圓廠在已經做到遠優於排放法規標準值的情況下持續精進。

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