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來源：內容來自technews。

根據韓國中央日報報導，韓國三星正加速其位於京畿道平澤的晶圓廠建設，此計劃代表着其在經歷數月新廠建設停滯後，三星準備在高頻寬頻記憶體（HBM）市場中，重新奪回被SK 海力士（SK hynix）和美光（Micron）搶佔的市場佔比。

報導指出，過去數月，三星電子已陸續獲得平澤市政府頒發的關鍵覈准，尤其針對其P4 廠房，2025 年已取得多個臨時使用許可，最近一次是在6 月初獲准。這些許可讓三星得以在全面竣工前，對部分場地進行有限度使用，包括安裝設備、進行測試營運或允許受限的工作人員進入。

自2024 年初以來，受芯片需求疲軟和內部資本配置考量影響，P4 以及鄰近的P5 廠房的建設曾一度暫停。然而，近期P4 廠區的活動顯示，三星正積極擴大生產規模，這與其透過下一代HBM4 產品重奪記憶體市場領導地位的目標高度一致。而且，爲了支持HBM4 的生產，並提升目前約40% 的良率，三星正加碼投資，以擴張平澤二期與四期以及華城的17 號線的產能。儘管三星電子發言人拒絕對此計劃發表評論，但市場普遍認爲這是其爭奪HBM4 市場龍頭的關鍵步驟。

另外，三星電子將其賭注押在先進的10 納米級1c 製程上，該製程有望應用於即將問世的HBM4 產品。這與SK 海力士和美光科技計劃使用的前一代1b 製程節點形成對比，儘管採用1c 製程並不必然會帶來卓越的性能，但三星仍強調這是他們產品的競爭優勢之一。

而在4 月份的財報會議上，三星電子透露，他們正準備在2025 年下半年啓動HBM4 的量產。爲了如期進行，該公司目標在第三季前完成產品的內部覈准並穩定其良率。這項時間表極具挑戰性，因爲分析師指出，儘管1c 製程的良率已有所改善，但這項技術仍處於發展階段。

報導指出，根據大摩最新發布的一份報告中指出，三星可能在9 月之前獲得英偉達（Nvidia）Rubin GPU 的HBM4 樣品覈准，這被視爲一個關鍵的催化劑。該報告強調，一旦獲得此類覈准，不僅將因龐大的新潛在市場機會而引發三星股票的反彈，還將重塑當前HBM 市場的競爭格局。這意味着，英偉達的認證對於三星在HBM 市場的地位至關重要，它不僅關乎技術實力，更直接影響市場佔比和投資者信心。

然而，三星面臨的挑戰仍不容小覷。市場分析師警告，英偉達的認證流程將比三星內部基準更爲嚴苛的性能標準，尤其是在速度和功耗方面。目前，三星的12 層堆疊HBM3E 產品尚未獲得英偉達的認證，但競爭對手SK 海力士和美光均已跨過這一里程碑。事實上，SK 海力士已向英偉達出貨了早期的HBM4 樣品，這進一步凸顯了三星在HBM4 競賽中所面臨的巨大壓力。

此外，三星在擴大生產規模方面也面臨着技術瓶頸和複雜的芯片架構。 HBM4頻寬的升級需要更密集的導通孔（via holes）和更復雜的硅穿孔（through-silicon via，TSV）結構，這使得製造過程顯著更困難。這些技術挑戰不僅考驗着三星的工程能力，也對其生產良率和成本控制構成嚴峻考驗。

報導強調，儘管面臨重重挑戰，記憶體市場的整體情緒依然樂觀，這受惠於人工智能（AI）領域的持續強勁需求。市場分析師表示，全球HBM 市場將在2025 年達到133.4%的年成長，金額來到430 億美元，並預計隨着2028 年英偉達搭載1TB 記憶體的Rubin Ultra 全面部署，市場規模將飆升至1,350 億美元。這顯示HBM 做爲AI 應用關鍵零組件的戰略地位非常關鍵。

因此，儘管三星在英偉達的HBM3E 認證上仍持續努力中，但其產品已獲得其他主要客戶的青睞。例如，美國超微（AMD）於6 月12 日推出了MI350 AI GPU，其中就配備了由三星和美光供應的288GB 12 層堆疊HBM3E 記憶體。值得注意的是，這正是三星仍在尋求英偉達認證的同款HBM3E 產品。未來是不是也能一樣獲得英偉達認證通過，則還有待後續的觀察。

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