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在AI熱潮與高性能計算需求推動下，美光科技迎來了財務與技術的突破。

2025財年第三季度，實現創紀錄營收93億美元，同比增長37%，環比增長15%，得益於HBM、高容量DRAM及數據中心SSD的強勁增長。

我們將圍繞其財報核心展開分析，第一部分聚焦財務表現、產品線收入結構與市場份額變化，第二部分剖析美光在製造佈局與前沿技術方面的戰略執行。

Part 1

財務表現與核心產品增長：

HBM崛起與結構性轉變

2025財年第三季度財務表現：

◎美光的營收增至93億美元，相比去年同期增長超過37%，淨利潤達21.8億美元。在這背後，產品結構的調整與市場需求的變化起到了關鍵作用，

◎尤其是DRAM的貢獻達到了76%的歷史新高，收入同比增長51%，環比增長15%。DRAM業務中，位出貨量同比增長超過20%，而平均銷售價格（ASP）僅小幅下滑，顯示出高端產品結構的優化抵消了價格壓力。

◎推動DRAM營收爆發的核心引擎是高帶寬存儲（HBM）。第三財季HBM收入環比增長近50%，且在服務器領域實現突破，美光已經向四家客戶批量供貨，覆蓋GPU和ASIC平臺。

值得注意的是，HBM不再是少數高端客戶的專屬，而是逐步成爲AI服務器和大模型推理任務中的標配。

美光也首次明確披露，其HBM3E 12-high產品被AMD的Instinct MI355X GPU採用，而HBM4樣品也已交付客戶，具備60%以上帶寬提升與20%的能耗下降，顯示其技術代際的領先性。

◎NAND方面則相對平穩，第三季度收入爲22億美元，佔比23%，同比僅增長4%，但在位出貨量增長mid-20%的基礎上，ASP下滑幅度達高個位數。這表明NAND仍處於技術迭代與供需調整的早期階段。

即便如此，美光通過推出G9節點的2Tb QLC NAND新產品，加速推動消費級SSD向更大容量與更高性價比過渡，其客戶端SSD市場份額連續三個季度創新高。

按業務部門劃分

◎計算與網絡業務（CNBU）收入達51億美元，創季度新高，受益於HBM增長和LP DRAM批量出貨；

◎移動業務收入環比增長45%，表明客戶庫存壓力緩解後需求強勁回補；

◎嵌入式業務增長20%，工業與汽車市場的穩定性支撐了其收入彈性。

◎唯一表現平穩的是存儲業務（SBU），增長幅度僅爲4%，但依然從消費導向市場中獲取了持續動力。

在現金流方面

◎第三季度經營現金流爲46億美元，佔當季收入比重達50%，顯示出強勁的盈利能力。

◎調整後自由現金流爲19.5億美元，而資本支出爲27億美元。

美光財年第三季度的增長不僅來自AI帶動的終端需求擴張，更依賴於產品結構升級與高性能內存的逐步放量。

HBM從邊緣進入主流，LP DRAM維持壟斷供給地位，而客戶端SSD則通過技術差異化鞏固了市場份額。

財務表現的改善是技術戰略落地的直接體現，也爲後續資本開支和製造轉型提供了堅實基礎。

Part 2

製造擴張與技術節奏：

構建AI時代的供應護城河

爲支撐持續擴張的AI存儲需求，美光在製造層面啓動了一系列中長期投資規劃。

2025年6月，公司宣佈將在未來20年內在美國追加2000億美元投資，其中1500億用於製造，500億用於研發。

這些資金不僅聚焦於擴大晶圓產能，還涵蓋了先端封裝、研發共置與晶圓廠現代化改造，以形成技術與產能的“雙穩態”優勢。

◎美光正在愛達荷州博伊西建設第二座ID2晶圓廠，以共享ID1的製造資源和研發基礎，同時具備更高效率與更快投產週期。

◎與此同時，弗吉尼亞州馬納薩斯的晶圓廠也在擴建升級，特別面向汽車、航空航天和工業市場。

◎美光也計劃將先進封裝能力引入美國本土，以配合HBM產品未來的長線需求，預示其將對AI用內存市場的核心價值鏈進行更深層次的整合。

在DRAM技術方面，1-gamma工藝已實現量產出樣，標誌着EUV在DRAM製造中的大規模商用。該節點相較於1-beta，在位密度上提升30%、功耗降低20%、性能提升15%。美光已計劃將該工藝全面推向DRAM產品線，形成從移動端LP5X到數據中心DIMM的完整覆蓋。

NAND方面，G9 QLC節點持續推進，配合新的Adaptive Write技術，美光聲稱寫入速度可達傳統TLC的4倍。這將大幅擴展QLC的適用場景，並帶動消費SSD市場進一步替代更高成本產品。同時，美光也在準備新的高性能SSD系列，以支持如英偉達GB200平臺等AI服務器的超大容量存儲需求。

產品生命週期管理，對D4與LP4內存產品的EOL（生命週期終止）計劃已在多個市場啓動，未來將轉向提供更長尾支持的低容量市場（如工業與汽車），避免了技術落後節點佔用產能的風險，也爲轉向先進節點騰出資源。從全球視角看，美光製造佈局正從“全球多點分散”逐步走向“本土集中優勢”。

美光正以穩健節奏推進其製造與技術佈局，意圖打造AI存儲市場的基礎設施型能力。

從1-gamma DRAM與G9 QLC的快速迭代，到HBM封裝擴能、美國產線重構，美光試圖在技術上鞏固優勢，在製造上拉大差距，以穩住其在AI浪潮中的核心位置。

小結

2025財年第三季度的強勁表現標誌着美光已步入“AI賦能型內存週期”的紅利兌現階段。

從產品性能、技術節點到客戶結構、美光完成了從傳統存儲供應商到AI存儲解決方案的轉型，製造擴張並非簡單的產能堆積，而是圍繞AI場景做出的結構性配置調整。

從EUV節點推進、HBM封裝整合，到客戶端和移動端SSD技術升級，每一項舉措都圍繞提升帶寬、降低功耗和增強集成性展開，符合AI工作負載對存儲系統提出的新需求。