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過去幾年，三星因爲在HBM上的碰壁，晶圓代工的落後，導致公司在半導體業務上屢屢受阻。公司業績也在這種情況下屢屢受挫，甚至在DRAM上的多年領先，也被同城的競爭對手SK海力士反超，晶圓代工方面也被臺積電越拉越遠，甚至連micron也通過在HBM上的豪賭，給他們帶來了極大的壓力。
但作爲一家擁有雄厚資本的玩家，三星正在做出一系列調整，似乎正在給芯片行業帶來新的動能。
1.4nm決定延期
三星電子晶圓代工部門正式宣佈推遲1.4納米（nm）半導體的量產，並將量產目標定在2029年，比之前晚了兩年。這可以被解讀爲，爲了取代推遲1.4納米的量產，三星電子試圖通過提高2納米或更高工藝的完善度、提高運轉率來提高盈利能力。三星電子1日在首爾瑞草區三星金融園區面向合作伙伴舉辦的“SAFE Forum 2025”上分享了這一戰略。據悉，晶圓代工部門副總裁兼設計平臺開發負責人申鍾信在宣佈這一消息時，將1.4納米工藝的引入日期定爲2029年。
三星電子此前曾在2022年宣佈，將從2027年開始量產1.4納米半導體，但這一時間已進行調整。這比其競爭對手臺積電宣佈的2028年1.4納米量產目標日期晚了一年。
這被解讀爲三星晶圓代工（Samsung Foundry）應對當前因開工率下降而出現虧損局面的舉措。據估計，僅去年一年，由於主要客戶退出先進製程導致開工率下降，三星晶圓代工就出現了4萬億韓元的虧損。
因此，2㎚（SF2）製程將按原計劃於今年進行量產，但此後技術路線圖已進行修改。到2028年，三星計劃將專注於穩定2㎚製程，例如SF2P（第二代）和SF2X（第三代）。
此外，該公司計劃通過提高4、5和8納米工藝的運營率來確保盈利能力，這些工藝的技術已經相對穩定。爲此，據報道，該公司已要求合作伙伴專注於開發設計資產（IP），以提高工藝完善度並吸引客戶。採用該工藝的Telechips和Rebellion也於當天宣佈了與三星代工廠的合作案例。
三星代工廠一直在與臺積電爭奪先進工藝“全球第一”的頭銜。該公司還取得了一些成果，例如在2016年實現了10納米工藝的量產，並在2022年實現了3納米工藝的量產，領先於臺積電。然而，該公司在工藝完善度方面被評價爲落後。
一位業內人士表示：“三星代工廠在工藝競爭力方面不如臺積電”，並且“調整1.4納米工藝的進度計劃，是一種專注於提升實際代工業務而非爭奪全球第一的策略。”
攪動HBM江湖
三星電子DS部門負責人（副董事長）全永鉉最近訪問了Nvidia總部，討論爲GB300 Blackwell Ultra供應高帶寬內存（HBM）3E 12層。
據《首爾經濟日報》報道，Jun上週訪問了硅谷，與英偉達就HBM3E 12層芯片的供應進行談判。此次訪問距離他五月初的上次訪問不到兩個月。雖然尚未確認英偉達首席執行官黃仁勳是否出席了此次會談，但據報道，雙方就HBM3E 12層芯片的質量認證和明年的供應可能性進行了具體討論。
一位知情人士透露：“三星強調，其基於第四代10納米級DRAM（1a）的HBM3E 12層存儲器的質量並不遜色於競爭對手，並討論了Blackwell Ultra的供貨可能性，Blackwell Ultra將於明年量產。” 該消息人士補充道：“三星電子內部期待着積極的成果，因爲其質量在數值上並不遜色，而且他們已經與包括AMD在內的其他公司達成了供貨協議。”
近日，三星電子正式宣佈爲AMD的AI加速器MI350X系列供應HBM3E 12層顯存。隨着MI350X系列表現出超出預期的性能，市場對AMD性能的期待值不斷提升，而對三星電子HBM3E 12層的疑慮也逐漸消散。因此，三星電子越來越相信英偉達的質量認證只是時間問題，並且其性能不會出現任何缺陷。此舉被解讀爲強調了明年量產的可能性。
Nvidia 計劃於今年年底開始出貨已投產的 Blackwell Ultra。Blackwell Ultra 預計將於明年成爲 Nvidia 的主力人工智能 (AI) 加速器，其 HBM3E 12 層顯存的初始供貨合同已與 SK Hynix 和 Micron 敲定。
預計 Blackwell Ultra 不僅明年需求將持續增長，後年也同樣如此。這是因爲下一代 Vera Rubin 的初始產量極有可能非常有限。事實上，Blackwell 的前身 H100 Hopper 迄今爲止銷量依然穩定。最終，長期供應比例，而非僅僅是初始產量，對 HBM 的最終銷量至關重要。
據報道，英偉達正在推遲2026年的最終合同。這也是爲什麼今年正式宣佈HBM售罄的SK海力士和美光科技不願透露明年的售罄情況。半導體行業分析稱，三星電子的存在是英偉達態度冷淡的原因。在HBM供應持續短缺的背景下，如果三星電子成爲HBM3E 12層存儲器的第三大供應商，英偉達將在與SK海力士和美光科技的價格談判中獲得優勢。
一位業內人士表示，“據悉，SK海力士爲Nvidia提供的12層HBM3E平均售價（ASP）比8層版本高出約60%”，並補充道，“從Nvidia的角度來看，如果三星電子的HBM質量令人滿意，就沒有理由不獲得供應，因爲這會在供應商之間引發價格競爭。”
據報道，出於同樣的原因，Nvidia 正在推遲 HBM4 的採用計劃。該技術將用於 Vera Rubin，預計明年年底出貨。SK 海力士已於 3 月交付 HBM4 樣品，美光公司於 6 月交付，而三星電子計劃於 7 月或 8 月交付樣品。Nvidia 正在推遲做出決定，直至收到三星電子的樣品。
三星電子正全力提升 HBM4 的質量。SK 海力士和美光的 HBM4 基於第五代 10nm 級 DRAM（1b），而三星電子則押注於第六代（1c）技術。據報道，全永鉉在與英偉達的此次會談中也表達了對三星電子 HBM4 性能的信心。
業界評價，自全永鉉上任以來，三星電子的內存競爭力正在迅速恢復。自上任以來，他一直致力於恢復DRAM的根本競爭力，包括改進HBM3E基座和核心芯片。在今年3月舉行的股東大會上，他就HBM3E強調：“我們正在努力提升產品競爭力，HBM3E 12層存儲器最早在第二季度，最遲在下半年就能在市場上佔據主導地位。”
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