炒股就看金麒麟分析師研報，權威，專業，及時，全面，助您挖掘潛力主題機會！

英飛凌（Infineon）宣佈，隨着市場對氮化鎵（GaN）半導體的需求持續增長，決定利用好這一趨勢，鞏固其作為氮化鎵市場領先集成器件製造商（IDM）的地位，將進軍氮化鎵300mm晶圓代工。英飛凌將於2025年第四季度向客戶提供首批樣品，從而進一步擴大客戶群。

英飛凌掌握了氮化鎵300mm晶圓代工所有三種相關材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵。GaN半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，可實現更小的設計，從而減少智能手機充電器、太陽能逆變器、工業和人形機器人等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌是第一家在現有基礎設施中成功開發氮化鎵300mm晶圓技術的半導體製造商，與目前的200mm晶圓相比，300mm晶圓的生產技術更先進，效率也更高，因為更大的晶圓直徑允許每片晶圓生產更多的芯片，可達到原來的2.3倍。

另一方面，傳聞台積電（TSMC）將退出GaN晶圓代工市場，位於中國台灣新竹的晶圓廠相產線將停止生產。台積電已經向DigiTimes證實了該消息，表示經過完整評估後，決定在未來兩年內逐步退出GaN晶圓代工業務，這是基於市場和公司長期業務策略下的選擇，正在與客戶緊密合作，確保過渡期內順利交接。

據了解，部分廠商選擇將訂單轉向力積電（PSMC）。

海量資訊、精準解讀，盡在新浪財經APP