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IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力於通過其先進的製造工藝吸引客戶，但這一努力面臨重重困難，這不僅導致其泰勒工廠的開業時間推遲到 2026 年，還使得該公司 1.4 納米工藝的推進受阻，因爲三星正在全力提升 2 納米環繞柵極（GAA）技術的良率。

據 Chosun最新報道，三星已經開始實施一項“選擇與集中”戰略，其主要目標是將 2 納米 GAA 技術的良率提升至 60% 至 70%。一旦達到這一里程碑，大規模生產將成爲可能，潛在客戶也將進一步認識到其技術潛力。

據報道，三星電子商業支持特別工作組和三星全球研究院正在推進提升 2 納米 GAA 良率的戰略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平臺上發佈了詳細信息，指出三星對這一光刻技術的關注主要源於客戶對半導體的需求，這些客戶可能在未來兩到三年內繼續依賴這項技術。投資於 2 納米以下的工藝存在較高風險，但三星在 2 納米 GAA 節點上已經取得了一定進展，使其成爲幫助三星實現復興並對抗臺積電的可行選擇。

然而，三星的處境並不樂觀。此前曾有報道稱，三星終於獲得了一線生機，有望爲高通生產驍龍 8 Elite Gen 2 芯片，但在完成試生產階段後，高通卻據稱取消了這一計劃。儘管如此，三星並未放棄努力，據悉其已完成了第二代 2 納米工藝的基本設計，並計劃在未來兩年內推出第三代技術，即“SF2P+”。

據IT之家瞭解，通常情況下，爲了使晶圓生產在商業上具有可行性，客戶的良率需要達到 70%。報道稱三星高管已爲其各部門設定了六個月的期限，以實現上述目標。

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