金融界2025年7月12日消息，國家知識產權局信息顯示，華虹半導體（無錫）有限公司;華虹半導體制造（無錫）有限公司申請一項名爲“改善襯底背封缺陷的方法”的專利，公開號CN120299983A，申請日期爲2025年03月。專利摘要顯示，本申請提供一種改善襯底背封缺陷的方法，包括：步驟一，提供襯底，在背面沉積第一低溫氧化物膜層；步驟二，去除位於襯底邊緣區域的第一低溫氧化物膜層；步驟三，形成包覆襯底和...
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