一款按照技術迭代規律本應逐步淡出主流市場的半導體產品——DDR4內存(第四代雙倍數據速率內存),近期卻在存儲芯片現貨市場呈現出反常的價格走勢。
7月11日,經濟觀察報記者以採購商身份在深圳華強北電子市場走訪時,注意到了一種矛盾現象:一方面,前來爲工控、安防等特定訂單詢價DDR4內存條的需求仍然存在;另一方面,多數櫃檯仍向記者推薦新一代的DDR5(第五代雙倍數據速率內存,系DDR4的換代產品)相關產品,但商家對DDR4的報價普遍謹慎,並頻繁以“沒現貨”“價格一天一變”爲由婉拒需求。
根據市場研究機構閃存市場(CFM)7月8日發佈的數據,DDR4 16Gb eTT顆粒的價格已調漲至4.50美元,甚至超過了同日DDR5 16Gb eTT顆粒4.00美元的報價。所謂內存顆粒,指從一整塊硅晶圓上切割、封裝好的獨立芯片,是組裝成內存條前的核心半成品;eTT顆粒則特指其中未經過原廠完整、嚴格測試的顆粒,主要在渠道現貨市場流通。
上一代產品的價格反超新一代產品,存儲市場出現了罕見的“價格倒掛”現象。
對於產生這種異常現象的深層原因,TrendForce集邦諮詢分析師許家源在接受經濟觀察報記者採訪時表示,當前三星(Samsung)、SK海力士(SK hynix)正處在製程轉換期,並且“產能優先保障生產Server DRAM(服務器動態隨機存取存儲器)及HBM(高帶寬存儲器),導致PC DRAM及mobile DRAM的位元產出受限”。
他認爲,供給端因HBM而收縮,需求端又未同步下降,這種“供需錯配”是DDR4此輪漲價行情的直接原因。
多位受訪者告訴記者,DDR4作爲上一代產品,之所以價格不降反升,甚至超過了新一代產品,其根本邏輯在於,上游原廠爲聚焦高利潤的HBM而主動削減DDR4供給,造成了供給端的短缺;但在下游市場中,部分特定行業(如工控、安防)因其產品週期和認證成本,對DDR4仍存在無法替代的“剛性需求”。
此外,閃存市場分析師楊伊婷亦向記者表示,DDR4產品之所以出現供應緊俏的情況,是因爲“近期原廠相繼發佈了DDR4 EOL(生命週期結束)通知”,但服務器和PC等終端對DDR4產品仍有一定長尾需求,下游在緊急建立DDR4庫存。
當持續的“剛需”遭遇急劇收縮的“供給”,便最終催生了這場反常識的“價格倒掛”。
根據公開信息,自今年二季度起,三星、SK海力士已陸續向其客戶發出部分DDR4產品的EOL(End-of-Life,產品生命週期結束)通知,而美光科技(Micron)高管亦在6月的公開活動中確認了針對PC及服務器用DDR4的停產計劃。而這三家公司,佔據了全球DRAM市場超過95%的供應份額
原廠此舉的商業邏輯十分清晰:將寶貴的晶圓產能與研發資源,優先投入到以HBM爲代表的、面向AI服務器的高附加值產品中。財報信息顯示,SK海力士在其2025年第一季度實現了高達42%的營業利潤率,並預計HBM銷售額在2025年將佔其總內存銷售額的50%以上。
這場自上而下的產能切換,迅速將壓力傳導至產業鏈中下游。
“打個比方,(DDR4)你今天問我4塊錢,過幾天可能就4塊5了,越問越貴。”7月10日,深圳一家存儲模組廠商的市場負責人向記者如是表示。
另外,閃存市場在其最新報告中亦指出,服務器等企業級客戶對高價DDR4已產生強烈的“牴觸心理”,除零星急單外,客戶普遍拒絕“高位接盤”,消費類市場則因此被迫加速向DDR5平臺遷移。
那麼,在市場表象之下,HBM的產能需求究竟如何引發了這場波及整個傳統存儲供應鏈的“蝴蝶效應”呢?“最後通牒”
DDR,全稱爲“雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器”,是決定電腦、服務器等電子設備運行速度與多任務處理能力的關鍵核心組件之一。作爲其第四代產品,DDR4自2014年問世以來,在長達十年的時間裏,一直扮演着市場絕對主流的角色,是支撐上一代PC與服務器運算體系的基石。
從產品歸屬上看,DRAM(動態隨機存取存儲器)是一個大的技術品類,而市場通常所說的DDR4、DDR5,是DRAM技術在PC和服務器領域應用最廣泛的主流迭代產品;HBM(高帶寬內存)則是DRAM技術爲了滿足AI服務器等高性能計算場景,而衍生出的一種特殊的高價產品。
按照半導體行業的技術演進規律,新一代產品DDR5的出現,本應依循慣例對DDR4形成替代,因爲相較於DDR4,DDR5在傳輸速率、帶寬、單顆芯片容量及功耗控制上均有顯著提升,能夠更好地滿足新一代CPU及AI應用對海量數據吞吐的需求。
因此,從2023年開始,整個存儲市場便已進入從DDR4到DDR5的代際轉換週期。然而,這場本應平穩的代際轉換過程,在2025年二季度之後,逐漸走向了失序。
“DAM的漲價很猛,尤其部分型號的DDR3、DDR4漲幅接近100%了。”前述深圳一家存儲廠商的市場負責人向記者直言。閃存市場7月8日發佈的研究報告亦稱,近期部分供應商對DDR4 eTT顆粒的官價進行了“暴力拉漲,漲幅接近五成”。
市場的瘋狂最終體現在服務器內存這一關鍵產品上,閃存市場方面指出,服務器用的DDR4 RDIMM(帶寄存器的雙列直插式內存模組,是服務器內存的常用規格)內存條現貨價格,在經歷連續快速拉漲之後,已較今年一季度低點呈現翻倍式增長。一位華強北的檔口老闆在7月上旬的走訪中告訴記者,目前市場中“炒貨行爲居多且價格虛高”,進一步加劇了價格的混亂。
要理解這場價格風波的傳導機制,首先需要釐清存儲芯片的產業鏈結構。
這條產業鏈大致可以分爲三個環節:上游,是技術與資本壁壘最高的晶圓原廠(IDM),如三星、SK海力士和美光這三大巨頭,它們掌控着從設計、製造到封裝測試的全過程,並直接生產出最核心的原材料——內存顆粒;中游,則是數量衆多的存儲模組廠商和渠道商,它們向上遊採購內存顆粒,再結合自研或第三方的主控芯片與固件算法,將其設計、組裝成消費者和企業能直接使用的最終產品,比如,國內A股市場上的江波龍(301308.SZ)、佰維存儲(688525.SH)、德明利(001309.SZ)以及朗科科技(300042.SZ)等均是這一環節的代表性企業;下游,則連接着廣大的終端應用市場,包括PC、服務器、智能手機等品牌製造商,以及最終在零售渠道購買產品的普通消費者。
因此,對於身處產業鏈中下游的模組廠商和渠道商而言,上游原廠的每一個動作都牽動着他們的神經。
閃存市場分析師楊伊婷告訴經濟觀察報記者:“近期原廠相繼發佈了DDR4 EOL(生命週期結束)通知,考慮到服務器和PC等終端對DDR4產品仍有一定長尾需求,下游緊急建立DDR4庫存,令近期DDR4產品出現供應緊俏的情況。”
在採訪中,記者還瞭解到,所謂EOL通知,是半導體行業中一份具有“最後通牒”意味的官方文書,它意味着上游原廠將正式停止該型號產品的接單和生產,並給出一個“最終採購(Last Time Buy)”的截止日期。
對於下游客戶而言,這無異於一道選擇題:要麼精準預估未來數年的產品需求,投入鉅額資金進行一次性的戰略備貨;要麼,立刻投入同樣高昂的研發成本和時間成本,對現有產品進行硬件重新設計,以適配新一代的元器件。
無論是哪種選擇,都充滿了風險與不確定性。上述深圳一家存儲廠商的市場負責人就向記者表示:“部分原廠正是通過控制晶圓原材料的供應節奏和價格,對市場價格走勢產生了顯著影響。”
許家源也給出了相同的判斷,即原廠的EOL時程規劃,推動了模組廠積極備貨DDR4顆粒。
作爲產業核心玩家之一,存儲模組龍頭江波龍亦在其近期發佈的一份投資者交流紀要中指出:“近期受存儲晶圓原廠決定戰略性部分退出DDR4業務的影響,部分DDR4價格在短期內明顯上揚。”
於是,恐慌性的備貨潮,疊加部分炒家的囤積居奇,迅速抽乾了市場的流動性,並最終導致了“有價無市”的僵局。
在7月上旬於華強北走訪過程中,記者瞭解到,自6月以來,渠道DDR4價格在連續上漲後,市場開始有所降溫,個別產品因前期漲幅過大,買賣雙方陷入持續的拉鋸和僵持階段,出現了成交乏力的情況。
但事實上,在二季度價格反轉之前,整個存儲行業剛剛經歷了一輪殘酷的下行週期。
根據佰維存儲在其一季報中的描述,存儲市場價格在2025年第一季度達到了“階段性低點”。這種市場低谷也直接反映在了產業鏈中游廠商的業績上,根據公開財報,佰維存儲當季淨虧損達1.97億元,而另一家存儲模組龍頭江波龍同期亦出現1.52億元的淨虧損。
前述存儲廠商的市場負責人告訴記者,儘管DDR5是未來趨勢,但在工業控制、安防監控、電視機頂盒等對性能要求不高、但對穩定性和兼容性要求極高的利基市場,DDR4仍是更具性價比的選擇。此外,記者亦瞭解到,部分仍在服役的英特爾舊款CPU平臺僅支持DDR4,也構成了其需求的底層支撐,正是這部分剛性需求,爲市場的詢價提供了熱度基礎。
這種需求的“剛性”,根植於利基市場本身的產品特性:與快速迭代的消費電子不同,一套工業控制系統、一個車載娛樂模塊或是一個安防攝像頭主板,其生命週期往往長達5至10年。在此期間,任何核心元器件的微小改動,都可能意味着整個硬件方案的重新設計、軟件的重新適配,以及一整套漫長且昂貴的行業認證流程,因此,對於這些領域的製造商而言,在產品生命週期內維持供應鏈的穩定性,其重要性遠高於追逐最新的技術參數,一次性地高價備貨舊款DDR4,其綜合成本,往往仍低於更換平臺、重新認證的隱性成本。
閃存市場方面亦指出,高昂的DDR4 RDIMM價格已經使得服務器終端客戶“牴觸心理日漸強烈”,除了無法避免的“零星急單”外,大客戶們普遍不願在這個時點“高位接盤”。
而在對價格更爲敏感的消費類市場,大部分終端客戶則選擇了“鬆手”並轉換賽道。對此,閃存市場分析稱,DDR4與DDR5之間日益縮小的價差乃至“倒掛”,正在“倒逼”PC市場的渠道客戶“從DDR4升級至DDR5”。一位華強北的商家也向記者表示,在DDR4現貨短缺的情況下,會主動推薦客戶轉向供應更穩定、價格差距不大的DDR5產品。
至此,一幅複雜的市場圖景得以呈現:上游暴力拉漲,中游恐慌搶貨,下游則在剛需、牴觸與被迫轉向之間分化。而這一切看似混亂的市場行爲,最終都指向了同一個源頭——HBM。“虹吸效應”
深圳華強北的櫃檯上,DDR4的報價單日日更新,而在千里之外的韓國與美國,全球三大存儲原廠的業績說明會上,這個曾經的利潤支柱,卻幾乎沒有被提及,所有人的目光,都聚焦在了一個新的名字上。
比如,美光科技(Micron)總裁兼CEO桑傑·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)在該公司2025財年第三季度業績報告中,將公司創紀錄的營收表現,直接歸因於對“人工智能驅動下日益增長的內存需求”的滿足。他所說的“內存需求”,其核心正是HBM。作爲AI服務器中高算力GPU芯片不可或缺的“左膀右臂”,HBM已成爲當前這場AI浪潮中最確定的增量市場之一。
事實上,存儲巨頭們對HBM的戰略傾斜,已經體現在了實實在在的財務數據和經營目標上。美光的財報顯示,其2025財年第三季度實現了創紀錄的營收,其中“HBM營收實現了近50%的環比增長”;SK海力士則在其2025年第一季度業績說明中,維持了其2025年HBM需求“同比增長2倍”的展望,並已在今年3月向客戶交付了“全球首批HBM4 12Hi樣品”,以彰顯其技術領導力;三星電子同樣在其2025年一季度業績說明中,將“擴大增強型HBM3E 12H產品的銷售”列爲核心目標 。
許家源告訴記者,正是這種超高的市場增長預期,才使得原廠做出“產能優先保障生產Server DRAM及HBM”的決策。當然,對HBM的資源聚焦,也直接導致了對傳統產品線產能的“計劃性”壓縮,這是一項貫穿原廠所有產品線的全局性戰略。
根據閃存市場7月2日發佈的存儲市場展望報告,DRAM方面,LPDDR4X在手機中的需求佔比仍然較大,在原廠產線切換後,預計手機LPDDR4X整體存在約15%~20%的供應缺口,尤其6GB及以下低容量LPDDR4X供應十分有限,將推動三季度LPDDR4X合約出現20%以上的環比漲幅,並且逼近LPDDR5X的ASP(Average Selling Price,平均銷售價格)。
眼下,無論是PC用的DDR4,還是手機用的LPDDR4X,這些上一代的、利潤空間相對微薄的產品,都在爲HBM和DDR5“讓路”。但存儲原廠的晶圓產能並非可以無限擴張,一座先進的晶圓廠投資動輒百億美元,其總產能在一個時期內是相對固定的,而在有限的總產能下,生產決策就成了一道關於成本的數學題。
更重要的是,與傳統DRAM相比,HBM的製造工藝更爲複雜,不僅需要佔用更多的晶圓面積,還需要額外的硅通孔(TSV)和先進封裝工藝,這意味着生產一片HBM晶圓所要消耗的綜合產能和資源,遠高於一片同尺寸的DDR4晶圓。
在這道數學題面前,當HBM能帶來數倍的利潤時,技術成熟、利潤空間早已被嚴重壓縮的DDR4,便成了那個最先從產能規劃中被“優化”掉的選項。但另一方面,存儲三巨頭的此次戰略上的調整,在爲自身開創HBM高利潤時代的同時,也客觀上在DDR4等傳統市場留下了一個巨大的、有待填補的真空。
“國際大廠如美光、三星等逐步退出部分中低階或特定類型產品的市場競爭,客觀上爲本土廠商提供了寶貴的市場空間和客戶導入機會。”前述深圳存儲廠商的市場負責人向記者表示。
在企業級市場,江波龍在近日發佈的投資者交流紀要中亦稱,隨着AI應用的不斷加速,客戶基於“本地化、信息安全和供應安全等因素,也將會考慮更多地採用國產企業級存儲產品”。該公司已具備“eSSD+RDIMM”(即企業級固態硬盤與服務器內存條,均爲數據中心的核心存儲部件)的產品設計與規模供應能力,並正積極推進TCM(技術合約製造)模式,以“部分地降低價格波動產生的影響”。
佰維存儲則在其近日披露的投資者交流紀要中表示,公司正依託“研發封測一體化”的佈局,在AI手機、AI PC、AI眼鏡等新興AI端側領域獲得先發優勢,其ePOP(一種將閃存與內存芯片集成封裝的嵌入式存儲技術,因其小尺寸、低功耗,並可通過堆疊節省大量內部空間,被廣泛應用於智能手錶、AI眼鏡等小型智能設備)系列產品已進入Google、Meta、小米等知名企業的供應鏈體系。
“目前國內存儲晶圓廠、存儲模組廠、存儲控制芯片廠、封測廠正通力合作,營造存儲產業生態,形成產業閉環。”德明利在其5月份舉辦的業績說明會上也表示,隨着國內存儲器產業鏈的逐步發展和完善,“國內下游存儲模組及控制芯片廠商迎來重要發展機遇”。
眼下,對於中國的存儲產業鏈而言,三大原廠的“HBM產能大遷徙”,或許不僅僅是一次市場重構,也爲已具備技術實力和市場準備的本土廠商提供了難得的機遇。但前述深圳存儲廠商的市場負責人在接受記者採訪時也坦言,儘管國際大廠的退出讓出了市場空間,但本土廠商依然面臨許多現實上的挑戰。比如,目前國內企業與國際巨頭在HBM以及最先進的DRAM製程等高性能存儲領域,“仍存在一定差距,研發和生產能力還需要進一步提升”。
與此同時,一位長期關注半導體產業的分析師也向記者表示,供應鏈的自主可控能力,特別是上游關鍵的製造設備、核心材料等,仍是制約部分本土企業發展的關鍵瓶頸。因此,能否在抓住DDR4這一輪結構性市場機遇的同時,補上在HBM等下一代技術上的核心短板,將是中國存儲廠商在這場由AI帶來的產業重構中,亟待回答的考題。