英諾賽科（Innoscience）正通過產能拓展、技術創新及戰略合作強化，持續鞏固其市場地位。公司計劃在未來五年內顯著提升晶圓產能，同時推出新一代產品平臺並積極佈局車規級、AI服務器等高增長應用市場。產能佈局與技術路線：聚焦8英寸，展望12英寸

英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產能的擴張。公司計劃將當前每月13000片的產能提升至2025年底的20000片。長遠目標是未來五年內將月產能進一步擴大至70000片。這一增長得益於其8英寸晶圓製造工藝的持續成熟與超過95%的良率。

全球氮化鎵產業正經歷一場技術路線的深度博弈。近期，臺積電宣佈計劃在兩年內退出GaN晶圓代工業務，其主要原因可能在於GaN代工模式的投資回報率不如預期，且市場競爭激烈，公司內容調整聚焦先進製程等。與此同時，英飛凌則高調推進12英寸GaN晶圓樣品，並預計在2025年第四季度向客戶提供首批樣品，試圖通過大尺寸晶圓實現成本優勢和產能擴張，這無疑引發了行業對未來主流技術路線的激烈討論。

面對這種分歧，英諾賽科堅定推行其IDM（設計-製造-封測一體化）模式，並把戰略重心明確放在8英寸GaN產線的工程化成熟度上。公司高層判斷，儘管12英寸晶圓理論上可帶來更高的芯片產出，但其大規模商業化仍面臨核心挑戰，尤其是MOCVD設備（金屬有機化合物氣相沉積設備）的成熟度不足，尚無公開的12英寸GaN外延解決方案。

英諾賽科預計，12英寸GaN的產業化最早要到2030年才能進入大規模商業化階段。在此之前，公司將致力於最大化8英寸平臺的規模效應和成本優勢，持續提升良率並擴大產能，以滿足當前及未來幾年市場對高性能、高可靠性氮化鎵器件的旺盛需求。產品與技術創新：700V平臺發佈，多領域技術突破

近期，英諾賽科發佈了基於700V SolidGaN平臺的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。這些產品採用TOLL/TOLT主流大功率封裝，旨在實現對現有硅/SiC控制器生態的“無感替換”。其核心優勢體現在兼容性、性能表現和應用效益三個方面。

圖片來源：英諾賽科

在兼容性上，新品支持10–24V寬柵壓驅動，兼容SiC/IGBT控制器，具備引腳兼容設計，並集成了LDO柵極鉗位，有效消除了Vgs過沖風險。

圖片來源：英諾賽科

性能表現方面，新品提供100V/ns dv/dt保護、0.5Ω米勒鉗位，零反向恢復電荷（Qrr=0）使得開關損耗降低40%，並擁有超低熱阻（最低0.46℃/W）。

在應用效益方面，新品在1–6kW服務器、空調、工業電源等大功率應用中，可提升效率1–2%，功率密度提高50%。與650kHz SiC方案相比，這些新器件的開關頻率可推高至2MHz，系統元件數量可減少60%。

近期，英諾賽科董事長駱薇薇與CEO吳金剛在蘇州總部接受《科創板日報》專訪時透露，公司正在三大方向加速迭代，公司車規級高壓雙向導通GaN器件已完成送樣並獲得客戶積極反饋，有望成爲新能源汽車OBC、DC-DC及激光雷達電源的核心部件。另外，面向AI服務器/GPU供電的低壓高頻平臺目標開關頻率達8–10MHz，旨在通過顯著縮減磁性元件體積，滿足下一代機櫃對極致功率密度的需求。同時，100V半橋合封芯片已批量導入數據中心48V轉12V模塊、機器人伺服電機等應用場景，助力系統效率提升1–2%，功率密度提高50%。港股上市與戰略合作助推高增長

英諾賽科已於2024年12月30日在香港聯合交易所主板上市，成爲全球首家實現8英寸GaN晶圓大規模量產的IDM上市公司。

在戰略合作方面，意法半導體（ST）於6月30日將其所持英諾賽科H股禁售期延長一年至2026年6月29日。此舉體現了ST作爲英諾賽科IPO階段重要基石投資者對其長期價值的認可。該行動也支持雙方正在執行的聯合開發與製造協議，該協議旨在利用ST的海外晶圓廠拓展全球產能，同時ST可藉助英諾賽科珠海、蘇州兩大基地的8英寸GaN產線，實現其在中國市場的本土化製造。

從市場需求來看，英諾賽科2024年財報數據顯示，新能源汽車和AI數據中心領域訂單增長顯著：車規芯片交付量同比增長986.7%，AI及數據中心芯片交付量同比增長669.8%。這表明氮化鎵在高功率、高可靠性應用場景中的滲透已進入快速增長階段。

英諾賽科憑藉其完整的產業鏈佈局和在關鍵應用領域的突破，正爲達成其未來五年7萬片月產能的目標奠定堅實的技術與市場基礎。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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