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來源：內容來自technews。

根據KeyBanc Capital Markets 的報告，臺積電的N2 製程目前表現出卓越的領先優勢。截至2025 年中期，臺積電的N2 製程良率大約達到65%，這項數據顯著的超越了其主要競爭對手，這使得臺積電在全球晶圓代工領域持續保持領導地位。

報告指出，爲了鞏固並擴大這一領先優勢，臺積電正持續投入於N2 製程的良率提升工作，公司目標是在2026 年前將N2 製程良率進一步提升至接近75% 的水平。爲達成此一目標，臺積電的製程工程師們正積極解決多項技術挑戰，包括多重圖案極紫外光（EUV）曝光中的拼接（stitching）問題與疊對（overlay）控制。這些技術改進對於確保晶圓上的電路圖案精確對準至關重要，直接影響最終產品的良率與性能。

此外，臺積電還在進行工具與製程層面的全面優化，例如部署先進的薄膜（pellicle）以減輕光罩顆粒污染的影響。這些細緻入微的優化措施，共同推動N2 製程的良率向更高點邁進，確保臺積電在未來的芯片製造市場中保持強勁的競爭力。

相較於臺積電，英特爾的Intel 18A 製程良率目前位居第二，進步幅度也令人矚目。截至報告發布之際，Intel 18A 製程的良率爲55%。值得注意的是，這一數字反映了其在前一季50% 的良率基礎上達成了顯著改善的目標，這代表英特爾在製程優化和缺陷減少方面取得了積極成效。

英特爾的未來發展路線，包含了一系列雄心勃勃的計劃。其中，預計Panther Lake 處理器將在2025 年底前開始使用Intel 18A 製程進行大規模生產。報告預期，透過持續的製程優化和缺陷減少措施，英特爾有潛力將Intel 18A 製程的良率推升至65% 至75% 的範圍內。如果這一改進能實現，將使英特爾的良率超越三星。

展望更遠的未來，英特爾已規劃在2026 年下半年推出Intel 18A-P 的改良版，此版本將專爲大量晶圓代工客戶量身訂製。 Intel 18A-P 的技術增強將牽涉修改光罩，以及進一步的鰭片邊緣平滑處理，這些措施目的減少圖案錯誤和缺陷。如果Intel 18A-P 製程能夠維持與原本Intel 18A 製程相當的良率，市場對英特爾晶圓代工業務的預期將顯著提升。

報告強調，儘管業界有傳聞表示，英特爾可能加速其發展路線，跳過Intel 18A-P 直接進入Intel 14A 製程，但報告認爲，這種情況發生的可能性不大。報告指出，Intel 18A-P 相對於臺積電N2 製程的競爭力，以及Intel 14A 製程預計在2027 年底，或2028 年初才能開始生產的時間點，都使得跳過節點的策略既充滿風險，又具操作複雜性。這代表英特爾更傾向於穩健的推進其既定路線，逐步提升技術成熟度與良率。

最後，與臺積電和英特爾形成鮮明對比的是，三星的2 納米制程。其代號爲SF2 的製程技術尚未展現出有意義的良率提升。目前，SF2 的產量大約保持在40% 的水平，這遠低於臺積電和英特爾的水準。報告將三星SF2 良率表現不佳歸因於多重因素，包括晶圓級缺陷問題，以及EUV 圖案化能力的緩慢提升。

三星的下一代2 納米節點製程目前預計在2027 年初推出，然而，爲了保持在先進製程領域的競爭力，三星將需要在此之前達到實質性的良率提升，這對於三星而言是一項艱鉅的任務。因爲其不僅需要解決當前的技術瓶頸，還需加速EUV 相關的產能建設與良率優化，纔有機會能迎頭趕上臺積電和英特爾的腳步。

總而言之，截至2025 年中期，臺積電的N2 製程以65% 的良率遙遙領先，並設定了更高的良率目標。英特爾的Intel 18A 製程正迅速追趕，良率達到55%，並透過其路線展現出在未來達到與臺積電相近水平的潛力。至於，三星的SF2 製程則面臨嚴峻的良率挑戰，僅爲40%，其未來競爭力將取決於能否在短期內實現顯著的技術突破和良率提升。這場先進製程良率的競賽仍在持續進行，其結果將深刻影響全球科技產業的格局和未來發展。

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