IT之家 7 月 21 日消息，據韓媒《亞洲日報》今日報道，三星已準備在本月底前向 AMD 和英偉達等客戶提供 HBM4 樣品。

據悉，三星在 HBM（高帶寬內存）市場的表現一直不是很理想，特別是在 HBM3 方面推進遲緩。由於未能及時通過英偉達等公司的認證，嚴重影響了其營收表現。這種狀況雖然在 HBM3E 標準推出後有所改善，但三星仍未能打入英偉達的主流供應鏈。

不過，這種情況極有可能將發生改變，三星計劃應用 10 納米級第六代（1c）DRAM 工藝，開發更精密、良率更高的 HBM4。後續三星和 SK 海力士都計劃在下半年正式量產 HBM4，並從明年起全面展開競爭，改變如今 SK 海力士獨家向英偉達供應 HBM3E 的現狀。

隨着 HBM 供應鏈廠商的增加，英偉達將獲得明年發佈的新款 AI 加速器“Rubin”的定價主導權，預計 AMD 的 MI400 也將如此。

投資銀行高盛對此分析道：“由於競爭加劇，預計明年 HBM 的價格將下跌 10%。HBM 的定價權將從製造商轉移到以英偉達爲代表的客戶手中”。這意味着 SK 海力士壟斷 80-90% 英偉達訂單的局面將不復存在。

就算三星未能通過英偉達的相關認證，HBM 的價格也將下降。因爲英偉達可能用已通過認證的美光作爲籌碼，要求 SK 海力士給出一個合理的價格。

IT之家注：HBM（高帶寬內存）是三星電子、AMD 和 SK 海力士發起的一種基於 3D 堆棧技術的高性能 DRAM，適用於高存儲器帶寬需求的應用場合，可與高性能 GPU、網絡交換及轉發設備、高性能數據中心的 AI ASIC 結合使用。

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