光刻機、半導體板塊午後集體大漲，主要受以下事件驅動和邏輯支撐：

一、事件驅動因素

行業盛會催化

2025世界人工智能大會（7月26日-28日）即將在上海舉辦，疊加OpenAI計劃8月初發布GPT-5的消息，市場對AI算力需求激增的預期升溫，直接刺激半導體、光刻機等上游產業鏈。

國產替代政策突破

7月23日，工信部將KrF/ArF光刻機納入《首臺（套）重大技術裝備目錄》，標誌着國產光刻機技術攻關取得實質性進展。政策補貼和稅收優惠進一步強化了市場對國產替代的信心。

國際巨頭動態

ASML發佈2025Q2財報，淨利潤超預期且訂單環比增長40.8%，首臺EXE:5200B EUV光刻機出貨。其業績高增與國產替代預期形成共振，帶動國內光刻機供應鏈企業上漲。

二、核心邏輯支撐

國產替代加速

半導體設備（如光刻機）長期受制於海外技術封鎖，政策明確將光刻機列爲“卡脖子”攻關重點。國產化率提升（如中芯國際擴產、茂萊光學NA0.75鏡頭突破）直接提振板塊情緒。

資金高低切換

科創50指數此前因半導體權重股滯漲處於低位（PE 143倍，低於歷史中樞），在AI算力需求爆發背景下，資金從高位板塊（如新能源）流向半導體、光刻機等低位硬科技領域。

需求端爆發

生成式AI、智能駕駛等新興領域推動芯片需求激增，2025年全球半導體設備市場規模預計達315億美元。晶圓廠擴產（如中芯國際28nm產能建設）直接拉動光刻機採購需求。

4.政策與資本動向大基金三期落地進度：若2025Q3前完成對設備/材料企業注資（如中微公司、拓荊科技），將強化國產替代邏輯。海外技術封鎖變化：美國對華光刻機/EDA軟件出口限制若升級，可能倒逼國內技術突破加速。

晶圓廠產能利用率：中芯國際、華虹半導體等國內大廠產能利用率若穩定在85%以上，表明需求強勁；低於75%則預示過剩風險。

技術面：科創50指數突破120日均線壓力位，MACD紅柱放大，短期技術形態走強。

三、後市展望

短期看，國產替代政策落地（如光刻機首臺套補貼）和AI算力需求共振，板塊或延續強勢；中長期需關注技術驗證進展（如EUV國產化）及晶圓廠擴產訂單落地情況。