1、AMD MI350 AI加速器漲價70%，需求激增引關注
3、青禾芯片鍵合技術突破GeOI產業化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！
4、VSAP峴港啓動7000萬美元先進封裝項目
5、市場競爭激烈致業績下滑 復旦微電上半年營收微增淨利潤預減39%-48%
1、AMD MI350 AI加速器漲價70%，需求激增引關注
7月29日，韓國媒體援引滙豐銀行研究報告指出，AMD對其Instinct MI350 AI加速器進行了價格調整，售價從15,000美元上調至25,500美元，漲幅高達70%。此次價格調整引發了業界的廣泛關注。
AMD Instinct MI350 AI加速器在性能上對標英偉達的B200，但其價格優勢一直備受市場青睞。此次大幅漲價，AMD方面暗示市場需求顯著增加，可能是導致價格上調的主要原因。據悉，MI350加速器在人工智能和高性能計算領域具有廣泛應用，其高性能和較低的價格使其在市場上具有較強的競爭力。
回顧過往，AMD在AI加速器市場的佈局已久。Instinct系列作爲其主打產品線，一直在不斷迭代升級，以滿足日益增長的市場需求。此次MI350的價格調整，雖然短期內可能會對部分用戶的採購計劃產生影響，但從長遠來看，市場對高性能AI加速器的需求依然旺盛，AMD有望繼續在這一領域保持領先地位。
值得一提的是，滙豐銀行的研究報告還指出，隨着AI技術的不斷發展和應用場景的拓展，AI加速器的市場需求將持續增長。AMD此次漲價或許正是基於對未來市場前景的樂觀預期。此外，報告還提到，AMD在技術研發和產品創新上的持續投入，是其能夠在激烈的市場競爭中保持優勢的關鍵因素。
2、三星李在鎔赴美支持關稅談判，攜鉅額投資與特斯拉合作
三星電子會長李在鎔近日啓程前往美國華盛頓，旨在支持與美國的貿易談判。此次行程正值韓美貿易談判進入關鍵階段，雙方在關稅問題上展開激烈博弈。李在鎔的此次出行，是其自7月17日最高法院宣判無罪後的首次公開活動。
李在鎔於當天下午3點50分抵達金浦機場，隨即前往美國。在美方相互關稅生效前三天，李在鎔此行很可能將提出擴大對美半導體投資和先進人工智能（AI）半導體領域的技術合作，作爲韓方的談判底牌。
三星電子在美國得克薩斯州奧斯汀已運營一家代工工廠，並計劃到2030年在美國當地投資超過370億美元（約合54萬億韓元），建設半導體生產基地。目前，該公司正在德克薩斯州泰勒市建設一家鑄造廠，預計明年開始運營。
值得一提的是，三星電子在前一天與特斯拉簽署了一份價值22.8萬億韓元的代工供應合同，這是該公司有史以來最大的合同之一。根據合同，三星將從明年開始在泰勒的工廠生產特斯拉的下一代人工智能芯片AI6。業內人士分析，這份合同不僅符合美國政府重振半導體產業和招商引資的政策，也將爲韓美貿易談判增添有力籌碼。
3、青禾芯片鍵合技術突破GeOI產業化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！
技術背景與優勢
鍺擁有高折射率特性，當光線從一種介質進入鍺材料時，會發生較大角度的偏折，這一特性使得鍺在操控光線方面具有強大的能力，能夠精準地改變光線的傳播路徑，爲光學器件的設計和應用提供了豐富的可能性。
GeOI（Germanium on insulator, 絕緣體上鍺）襯底技術作爲新一代半導體材料的關鍵解決方案，憑藉其獨特性能，在高頻電子器件、光電子集成及量子計算等領域展現出顯著優勢。該技術通過在絕緣層上集成鍺薄膜，結合了鍺材料的高載流子遷移率和硅基工藝的成熟特性。目前，全球範圍內GeOI技術正處於從實驗室研發向產業化過渡的關鍵階段。
產業化面臨的主要挑戰
在實際應用推廣過程中，GeOI技術主要面臨三大技術瓶頸：
熱管理難題
鍺材料的熱導率僅爲58 W/m·K，遠低於硅材料的150 W/m·K。這一特性導致高功率器件工作時產生嚴重的熱積累問題，採用傳統高溫鍵合工藝的GeOI器件，在高負載工況下溫升可達100℃以上。但通過採用低溫SAB（Surface Activated Bonding）鍵合工藝，將鍺薄膜直接鍵合於高阻硅襯底，無中間氧化層，能夠減小溫度變化引發的熱應力，降低界面開裂風險，有效提升散熱，顯著提升器件的性能與可靠性。
界面缺陷和鍵合強度
Ge表面易形成不穩定的氧化層，該氧化層不僅易揮發，且與SiO₂界面的結合力較弱；同時，鍵合界面可能存在微空洞或污染物，這些因素共同導致鍵合強度下降。通過特殊工藝，對鍵合界面進行處理，能夠有效去除自然氧化層，實現Ge和Si的直接鍵合，提高鍵合表面潔淨度，減少污染，提升鍵合界面強度。
產品成本挑戰
一方面，全球鍺材料年供應量僅200噸，受此限制，高純鍺材料的市場價格高達硅材料的10倍以上；另一方面，現有硅基產線無法直接兼容多種尺寸的GeOI襯底，需要針對性改造，包括光刻、蝕刻等關鍵工藝參數的重新優化，這將使設備改造成本增加30%-50%。使用多尺寸兼容設備，可以降低改造成本；在產線中集成晶圓回收模塊，實現Ge 重複利用，也可以降低產品成本。
關鍵技術突破
針對上述挑戰，青禾芯片SAB61超高真空常溫鍵合系列設備提供了創新解決方案：
在熱管理方面
設備採用常溫鍵合技術，通過超高真空（10⁻⁶Pa）條件下的等離子體活化實現原子級結合。這一工藝完全避免了傳統高溫鍵合帶來的熱應力問題，實測顯示器件散熱效率提升40%。
在鍵合強度方面
通過清洗工藝或等離子體活化去除自然氧化層，提升鍵合表面潔淨度，提高鍵合界面強度。
在量產成本方面
設備支持2-12英寸晶圓的混線生產，並集成H-cut回收模塊。這種設計使鍺材料利用率提升80%以上，8英寸GeOI襯底的單片生產成本從200美元降至75美元。
GeOI技術產業化的新紀元
未來，隨着鍺回收工藝的持續優化、異質材料常溫鍵合集成技術的突破，以及太赫茲通信、量子計算專用器件等應用方向的深入探索，GeOI技術將在更廣闊的領域發揮關鍵支撐作用。產學研協同創新將成爲推動技術落地的核心動力，而國產設備的突破，則爲中國半導體產業在全球競爭中贏得了重要的技術話語權。
GeOI技術的產業化進程，不僅是材料科學領域的一次重要突破，更是半導體制造能力的全面躍升。在5G/6G通信、高性能計算、光電集成等前沿領域的持續推動下，GeOI襯底有望成爲下一代半導體器件的核心基石，進而開啓全新的技術時代。
4、VSAP峴港啓動7000萬美元先進封裝項目
7月28日，位於越南峴港市第二軟件園區的VSAP先進封裝技術實驗室項目（Fab - Lab）正式宣告啓動，這一項目的落地標誌着當地半導體領域迎來新的里程碑。
據悉，該項目總投資高達1.8萬億越南盾，摺合約7000萬美元。如此龐大的資金投入，充分展示了項目各方對先進封裝技術研發的堅定決心和強大信心。先進封裝技術作爲半導體產業鏈中的關鍵環節，對於提升芯片性能、降低功耗以及實現系統級集成等方面具有至關重要的作用。
VSAP先進封裝技術實驗室的選址經過綜合考量，最終落戶峴港市第二軟件園區。該園區擁有完善的基礎設施和良好的產業生態，而峴港市在人才和科研實力方面也表現突出，爲項目的推進和研發奠定了堅實基礎。該實驗室將專注於前沿封裝技術的研究，涵蓋系統級封裝（SiP）等多個領域，有望取得自主知識產權的成果，爲半導體產業提供強有力的技術支撐。項目的啓動將對當地經濟發展具有顯著帶動作用，建設和運營過程中還將創造大量就業機會，吸引高端人才，研發成果的轉化將進一步推動產業升級和結構優化。
值得一提的是，峴港市在半導體產業領域的佈局已久，此次VSAP先進封裝技術實驗室的啓動，無疑是該市在這一領域邁出的重要一步。未來，隨着項目的深入推進，峴港市有望成爲全球半導體產業的重要節點，也預示着越南在全球半導體產業中的地位有望進一步提升。
5、市場競爭激烈致業績下滑 復旦微電上半年營收微增淨利潤預減39%-48%
7月29日，復旦微電（688385.SH）發佈2023年上半年業績預告，預計實現營業收入18.2億元至18.5億元，同比增長1.44%至3.12%；實現歸屬於母公司所有者的淨利潤1.8億元至2.1億元，同比下降39.67%至48.29%。
報告期內，復旦微電的研發投入、總資產、負債及經營活動產生的現金流淨額等財務指標具體情況尚未披露。
關於報告期內業績變動的原因，復旦微電說明稱，公司各產品線所面對的市場競爭激烈，儘管公司積極拓展新產品和新市場，鞏固或擴大市場佔有率，但歸母淨利潤仍出現較大幅度下滑。報告期內，除非揮發存儲器外，集成電路設計板塊各產品線均取得增長，致營業收入有所提升；綜合毛利率水平同比基本穩定。
在運營方面，復旦微電持續加大研發力度，推動產品技術創新，積極應對市場變化。公司通過多產品線的均衡發展，努力提升市場競爭力，儘管面臨諸多挑戰，但仍保持了營業收入的穩步增長。
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