智通財經APP獲悉，廣發證券發佈研報稱，在未來的新技術方向中，4F2和類似於3DNAND領域的CBA技術，有望成爲DRAM芯片進一步提升PPA的重要突破口。4F2和CBA等新興技術的發展，有望帶動DRAM行業設備需求持續提升，隨着新興技術路線的探索和應用，設備需求有望進一步多元化，從而打開成長空間。疊加相關設備國產化的趨勢，本土半導體設備成長空間有望進一步拓寬。

廣發證券主要觀點如下：

4F2和CBA有望成爲進一步提升DRAM芯片PPA的重要突破技術

通過分析目前DRAM芯片的結構設計和製造工藝可知，當前DRAM芯片在晶圓級層面的升級主要通過平面內的製程微縮和架構升級兩類途徑實現，從而不斷優化DRAM芯片的PPA表現。但正如邏輯製程領域摩爾定律逐漸失效或升級放緩，DRAM伴隨着製程微縮而帶來的改進幅度和速度也存在瓶頸。而三星、海力士及國內存儲廠也在積極探索和應用架構升級來實現DRAM芯片的迭代，在未來的新技術方向中，4F2和類似於3DNAND領域的CBA技術，有望成爲DRAM芯片進一步提升PPA的重要突破口。

4F2是提升存儲密度的高效技術路線

4F2結構佈局意味着DRAMCell在字線和位線維度上分別佔據2F(F即特徵尺寸)，其實現需要將DRAM的晶體管和電容器進行3D垂直佈局，這是平面內DRAMCell佈局的最密排布，有望將DRAMCell尺寸較6F2縮小約30%，代表了更好的面積表現和存儲密度。目前，業界正持續推進4F2相關DRAM技術的開發，例如，三星通過VCT技術將晶體管垂直排列，使Cell面積縮小30%，海力士則計劃在10nm以下節點採用4F2VG平臺，結合混合鍵合工藝，可實現更高密度與能效。

CBA技術是優化DRAM芯片系統級性能的關鍵

參考Flash行業的架構升級路徑，未來DRAM芯片也有望藉助CBA技術實現架構升級，CBA技術將存儲陣列晶圓和邏輯控制單元晶圓分開製造，並在製造完成後通過熔融鍵合或混合鍵合等工藝將兩片晶圓鍵合在一起，以實現系統整體的更優性能。

DRAM芯片的架構優化有望使設備需求多元化，從而打開相關設備成長空間

通過分析相關製造工藝可知，DRAM製程微縮主要依賴光刻工藝的升級，而4F2及其背後的垂直晶體管和電容結構，則在原有基礎上更多地依賴沉積、刻蝕等相關工藝，CBA技術也是在原有基礎上，進一步提升了對鍵合、CMP、電鍍等工藝的需求，隨着DRAM行業對4F2、CBA等新興技術路線的探索和應用，未來設備需求有望進一步多元化，從而打開相關設備未來的成長空間。

風險提示

市場需求不及預期，技術研發不及預期，客戶開拓不及預期。