（來源：研報虎）

　　事件：8月1日，英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄，氮化鎵龍頭企業英諾賽科上榜，爲英偉達Kyber機架系統提供全鏈路氮化鎵電源解決方案。

　　我們的觀點：AI算力設施對SiC/GaN器件需求提升，有望打開產業成長空間。部分投資者認爲，由於碳化硅車型在新能源車領域的滲透率逐步邁向較高水平等原因，第三代半導體行業未來發展空間可能受限。但我們認爲，SiC/GaN在AI算力設施供電系統中的應用潛力尚未完全挖掘。未來，AI服務器及數據中心對SiC/GaN器件需求有望持續提升，打開產業成長空間。

　　AI服務器功耗高，數據中心需要使用更高功率的供電架構。爲了應對更高端的AI運算，服務器供電系統各環節的效能、功率密度需要進一步提高。在從電網到IT機架的降壓環節，在功率要求提升的背景下傳統的機架內部配電架構受限於功率密度、銅材用量和系統效率等方面的物理極限；基於此，英偉達正在推進HVDC供電架構，在數據中心外直接將13.8kV交流電轉換爲800V高壓直流來爲IT機架供電。在二次降壓環節，傳統的12V供電架構無法滿足高效傳輸需求，當前48V及以上的供電系統正逐漸成爲主流。隨着AI服務器與數據中心對供電系統的要求提升，需要運用性能更優的功率器件以實現更高效的功率傳輸。

　　SiC/GaN可用於HVDC、電源模塊等場景，適配AI算力設施的大功率供電需求。SiC/GaN等第三代半導體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點，允許材料在更高的溫度和電壓下運行，降低能耗和成本。目前頭部廠商正在持續推動SiC/GaN在AI數據中心領域應用。例如，在HVDC方面，Navitas宣佈依靠GaN和SiC技術參與英偉達下一代800VHVDC電源架開發，爲Kyber機架級系統內的Rubin Ultra等GPU提供電力支持。在服務器電源方面，英飛凌基於GaN/SiC技術，持續推出更高功率的電源供應單元解決方案。展望未來，在AI服務器及數據中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應用。

　　頭部廠商推動產能佈局，響應下游強勁需求。2025年7月Navitas宣佈與力積電建立戰略合作伙伴關係，將採用力積電8寸0.18微米制程生產GaN產品。同月，英諾賽科確認公司將進一步提升8英寸產能，預計2025年年底將從1.3萬片/月擴產至2萬片/月。頭部廠商持續推動產能佈局，響應市場對SiC/GaN需求的提升。

投資建議與投資標的

　　AI服務器及數據中心需求有望打開SiC/GaN功率器件成長空間。建議關注：GaN行業龍頭英諾賽科；深度佈局SiC/GaN功率器件的頭部功率器件廠商聞泰科技、華潤微、新潔能、斯達半導、天嶽先進；佈局SiC功率器件業務的晶圓代工企業芯聯集成-U；功率被動器件公司法拉電子、江海股份；佈局第三代半導體設備市場的中微公司等。

風險提示

消費電子需求不及預期，AI落地不及預期，競爭格局變化

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