8月1日，在恒生指數疲軟的背景下，港股的英諾賽科（02577.HK）盤中突然飆漲，一度漲超60%，創上市以來的新高，隨後震盪調整，收盤仍漲30.91%，報57.6港元/股，市值約515.2億港元，單日市值暴增超百億港元。另外，公司今日成交量急劇放大，單日成交金額超42億港元，資金如潮水般湧入。

消息面，根據英偉達官網8月1日更新800V直流電源架構合作商名錄，英諾賽科是本次入選英偉達（NVDA.US）合作伙伴中唯一的中國芯片企業。這意味着雙方正式達成深度合作，雙方將攜手推動800V直流電源架構在I數據中心的規模化應用。

據悉，此次合作將單機房算力密度提升10倍以上，助力單機櫃功率密度突破300kW，推動全球AI數據中心正式邁入兆瓦級供電時代。

所謂800V高壓直流架構，也即此前熱門的HVDC架構。業內人士稱，當前AI模型參數量不斷擴大，算力需求激增，由此帶來的高能耗問題也迫在眉睫，高性能GPU的電源管理成爲關鍵瓶頸。英偉達佈局800V高壓直流架構，是爲了提升數據中心的能效比、散熱管理和系統可靠性，這或也是英諾賽科被選中的原因，公司股價站上“超級風口”。

資料顯示，英諾賽科是一家致力於第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。公司採用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片製造、測試與失效分析於一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。公司的主要產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件。

機構認爲，第三代半導體憑藉其獨特的物理特性，正在引領新一輪技術革新。在相關成本不斷下探及工藝不斷發展的背景下，其下游應用場景不斷湧現。本次英偉達和英諾賽科的合作，也說明氮化鎵芯片在AI算力領域應用前景巨大，在一定程度上可以緩解AI高算力帶來的能耗危機。

關於本次合作，英諾賽科也回應稱，與英偉達的合作已有一段時間，公司主要憑藉大功率氮化鎵技術入圍。不過，目前合作尚處於測試階段，暫未產生實質性訂單。因公司正處於半年報發佈階段，不便對此次合作前景與影響作出回應。

對於後續公司發展，不少機構表示樂觀。中信里昂證券表示，氮化鎵和碳化硅具有更高的能量轉換效率，可以在更高的電壓下工作，英偉達的革新有望增加氮化鎵和碳化硅功率半導體的使用，預估英諾賽科的數據中心業務在2024年的收入貢獻爲2%，到2025年將增長至8%。

華創證券研報指出，英諾賽科是全球首家實現8英寸氮化鎵晶圓量產的IDM廠商，專注於GaN功率器件研發、製造與銷售。作爲全球唯一覆蓋15V-1200V全電壓譜系的氮化鎵功率半導體供應商，公司聚焦15V-900V全電壓產品線，覆蓋消費電子、數據中心、新能源車及工業電源等核心場景，2023年以42.4%市佔率位居全球GaN分立器件出貨量第一，截至2024年末月產能達1.3萬片，並計劃未來五年內將產能提升至7萬片。

中國銀河證券則表示，未來AI數據中心800V供電有望成爲主流趨勢，更高電壓的應用可以減少電源線佔用的空間，同時考慮到未來AIDC中直流設備（光伏、儲能、電池、IT服務器、直流充電樁、直流照明和空調設備等）的比重將越來越大，與其兼容的全直流供電架構也有助於數據中心及周邊新能源、儲能的廣泛接入，並支持負載側的智能化調控。