在存儲領域，鍵合方式一直是幾家廠商關心的核心問題。隨着先進封裝技術的發展，尤其是3D NAND和高帶寬存儲器（HBM）不斷邁向更高堆疊層數與更緊密互連，對鍵合技術的精度、密度與良率提出了前所未有的挑戰。在這一背景下，「混合鍵合」（Hybrid Bonding）正迅速從實驗室技術走向大規模量產，成為存儲芯片製造的新支柱。傳統的熱壓鍵合或微凸點互連（micro-bump）方案，雖然已經在一定程度上滿足...
網頁鏈接在存儲領域，鍵合方式一直是幾家廠商關心的核心問題。隨着先進封裝技術的發展，尤其是3D NAND和高帶寬存儲器（HBM）不斷邁向更高堆疊層數與更緊密互連，對鍵合技術的精度、密度與良率提出了前所未有的挑戰。在這一背景下，「混合鍵合」（Hybrid Bonding）正迅速從實驗室技術走向大規模量產，成為存儲芯片製造的新支柱。傳統的熱壓鍵合或微凸點互連（micro-bump）方案，雖然已經在一定程度上滿足...
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