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來源：內容來自半導體芯聞綜合。
臺積電發現先進製程技術可能外泄情事，並對涉案員工提出法律訴訟。
臺積電發佈新聞稿說，已對涉事相關人員採取法律行動，但未透露更多細節。日經新聞週二報導，臺積電已開除多名涉嫌在職期間試圖取得2納米制程關鍵專有資訊的員工。這個新世代半導體制程預計今年下半年量產，未來將應用於從智能手機到人工智能（AI）加速器等各類芯片。
臺積電在新聞稿中強調，該公司經由內部調查“及早”發現涉及營業祕密泄漏情況。
由於各方爭奪AI時代的領先地位，最先進的芯片和記憶體成了炙手可熱的資產。芯片研發投資規模已創新高，臺積電和主要競爭對手三星電子每年資本支出均超過300億美元，美中兩國芯片業者也競相研發最先進技術。
臺積電2納米制程開發難度高，投入成本極高，目前全球僅有臺積電、三星、英特爾與日本Rapidus等少數企業仍持續研發。
臺積電預計今年底前量產2納米芯片，該技術被視爲現階段全球最先進的芯片製造工藝。據日經亞洲新聞報導，臺積電內部一些前員工，任職時企圖取得並外泄2納米芯片開發與生產的核心技術資料。
高檢署指出，智能財產檢察分署於7月25至28日，執行臺積電核心關鍵技術之營業祕密遭非法取得案，由檢察官指揮調查局新竹市調查站、資安站及北機站偵辦。全案共搜索6處地點，拘提陳姓、吳姓6工程到案，聲押禁見陳姓、吳姓等3工程師獲准。其中陳男爲前任工程師，吳男等2人爲現任工程師。
檢方指出，本案是臺積公司主動查覺在職員工檔案接觸異常，經臺積公司內部調查後，發現臺積公司的核心關鍵技術營業祕密，疑遭前員工及在職員工非法取得，因此向高檢署提出告訴。
高檢署指出，檢方將全力調查被告非法取得臺積公司核心關鍵技術營業祕密的動機及目的，釐清祕密有無進一步外流情事，依涉案被告等人犯罪情節及臺積公司受損情況，依法從嚴追訴犯行。
臺積電完整回應如下：
“近期臺積公司在常規的監控情況下偵測到違規行爲，經內部調查發現涉及營業祕密泄漏情況。由於臺積公司建立全面及完備的監控機制，得以及早發現，臺積公司已對涉事違規人員進行嚴厲懲處，並已採取相關法律行動，由於此案已進入司法程序，臺積公司不便就細節多做說明。
臺積公司對於任何違反公司保護營業祕密及損害公司利益的行爲秉持零容忍的態度，絕對從嚴處理，追究到底。我們致力於保護公司核心競爭力及全體員工的共同利益，將持續強化內部管理及監控機制，並在必要時與相關執法機構合作，確保公司競爭優勢及營運穩定。 ”
臺積電 2nm N2今年投產，A16 和 N2P 明年上市
臺積電在 2025 年北美技術研討會上透露，該公司有望在今年下半年開始大規模生產 N2（2nm 級）芯片，這是其首個依賴環柵 (GAA) 納米片晶體管的生產技術。
這一新節點將助力衆多明年上市的產品，包括 AMD 面向數據中心的下一代 EPYC “Venice” CPU，以及各種面向客戶端的處理器，例如 Apple 2025 年面向智能手機、平板電腦和 PC 的芯片。得益於 GAAFET 和增強的功率輸出，新的 2nm 節點將在提高性能和晶體管密度的同時，實現顯著的功耗節省。此外，後續工藝技術——A16和N2P——也有望於明年投入生產。
N2 是臺積電全新的製程技術，將實現所謂的“全節點改進”，包括與 N3E 相比，性能提升 10% 至 15%，功耗降低 25% 至 30%，晶體管密度提升 15%。臺積電表示，N2 的晶體管性能已接近目標，256Mb SRAM 模塊的平均良率超過 90%，這表明隨着 N2 逐步量產，該製程已達到成熟的水平。
如上所述，N2 將是臺積電首個採用 GAA 納米片晶體管的節點。由於柵極 360 度環繞溝道（N2 的溝道形狀爲多個水平納米片），該技術有望提升性能並降低漏電。這種結構可以最大限度地增強對溝道的靜電控制，從而在不影響性能或功耗的情況下最小化晶體管尺寸，最終實現更高的晶體管密度。
此外，N2工藝將超高性能金屬-絕緣體-金屬 (SHPMIM) 電容器融入晶體管的功率傳輸電路，以增強功率穩定性和性能。與該公司之前的超高密度金屬-絕緣體-金屬 (SHDMIM) 設計相比，這些新型電容器的電容密度提高了一倍以上，並且與上一代產品相比，薄層電阻 (Rs) 和過孔電阻 (Rc) 均降低了 50%，這將對性能和功耗產生切實的改善。
臺積電表示，其 N2 工藝節點的客戶採用速度顯著快於其前代產品，其第一年的新流片 (NTO) 數量已是同期 N5 的兩倍。這一勢頭仍在持續，第二年 N2 工藝節點的 NTO 數量已達到 N5 的約四倍，這表明市場興趣濃厚，且早期設計活動活躍。
雖然移動產品仍然是 N2 的主要採用者，但臺積電表示，高性能計算 (HPC) 和人工智能 (AI) 客戶正在加速採用該節點，這得益於對更高能效的需求。這種來自傳統後期細分市場的早期參與（例如 AMD Venice 的例子）凸顯了 N2 與前幾代產品相比，在更廣泛的應用領域中的吸引力。
與英特爾的 18A（1.8 納米級）不同，臺積電的 N2 不支持背面供電網絡 (BSPDN)；然而，臺積電表示，即使沒有它，新節點仍然能帶來切實的益處。就臺積電的節點而言，BSPDN（稱爲超級供電軌 (SPR)）隨 A16 製造工藝一起推出。這家代工廠採用了最複雜、最昂貴但最高效的背面供電方法，即將背面供電網絡直接連接到每個晶體管的源極和漏極。這與英特爾的 18A 方法形成了鮮明對比，後者將 BSPDN 連接到單元或晶體管觸點，這是一種更便宜但效率可能更低的方法。
由於臺積電的SPR背面供電技術製造成本高昂，臺積電未來將繼續提供不採用SPR的節點。N2P就是這樣一種工藝技術，它是N2的性能增強版，採用傳統的供電網絡，承諾與N2相比，性能提升5%至10%，功耗降低5%至10%。
事實上，據臺積電稱，A16 在很大程度上是支持背面供電的 N2P 技術，這將使芯片設計人員能夠將 IP 重複用於不同的產品。對於不需要密集電源網絡的客戶端應用，N2P 可能是最佳解決方案，尤其是從成本角度來看。對於需要密集背面供電的客戶，臺積電將提供 A16。
N2P 和 A16 都將在今年下半年實現大批量生產里程碑，因此預計實際產品將於 2027 年上市。
除了 N2、N2P 和 A16 之外，TCMC 還將提供 N2X（N2 的終極版本），其電壓耐受性增強，可實現最高時鐘速度，但代價是功耗增加。該節點尤其適用於高端客戶端 CPU 以及一些需要最高單線程性能保證的數據中心產品。N2X 預計將於 2027 年實現量產。
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