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前言:從歷年虧損到轉虧爲盈,英諾賽科如何講出另一個增長的故事?
7月31日,英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄,英諾賽科(2577.HK)成爲名單中唯一的中國芯片企業。
受此消息影響,8月1日,英諾賽科股價一度狂飆超60%,刷新歷史記錄,截至收盤股價仍漲超30%,全天成交高達42.4億港元,位列全港第六名,並創下公司上市以來單日最大成交量的記錄。
8月1日英諾賽科股價截圖
自2024年12月30日在港交所主板上市以來,英諾賽科(Innoscience Technology)憑藉其在氮化鎵(GaN)功率器件領域的技術積累與市場佈局,迅速獲得資本市場關注,並在短短數月內實現市值翻番。
上市初期,英諾賽科定價爲30.86港元,募資總額達14億港元,扣除相關費用後淨得資金13億港元。
據公開數據統計:
2024年12月上市初期,股價波動區間爲30.86港元至58.25港元;
2025年7月,股價進一步上行,在41.75港元至79.20港元之間波動;
2025年8月初,公司股價一度衝高至歷史新高73.55港元,較發行價翻倍,市值突破515億港元。
值得一提的是,2025年7月3日至8月5日期間,英諾賽科股價從36.80港元迅速攀升至75.15港元,漲幅超一倍,成爲港股市場罕見的高成長科技股代表。事實上,以往港股對硬科技公司的市值都是有所低估的。而英諾賽科當初選擇港股上市,也是不得已爲之。
此次股價飆升主要得益於英諾賽科於2025年8月宣佈與英偉達達成戰略合作,共同推動800V DC(直流)供電架構在AI數據中心的規模化應用。該新架構相較傳統的54V供電方式,在能效、熱損耗與系統可靠性方面具有顯著提升,適配未來百倍算力增長需求。
英諾賽科表示,其GaN器件具備從800V輸入至15V~1200V輸出的全鏈路能力,可構建完整的氮化鎵電源系統,滿足兆瓦級AI計算基礎設施的供電需求。此舉不僅提升了其在數據中心場景中的戰略價值,也意味着GaN技術將在高功率AI場景中迎來規模化部署的轉折點。
值得一提的事,在2025年5月21日美股盤後,英諾賽科的競爭對手納微半導體(NVTS)同樣因宣佈與英偉達合作開發下一代800V高壓直流(HVDC)架構,股價一度暴漲180%至200%。
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01
虧損減少,關鍵財務數據對比
英諾賽科成立關鍵里程碑,來源:與非研究院整理
英諾賽科是全球領先的集研發、設計、生產、銷售於一體的氮化鎵(GaN)功率器件IDM(整合設備製造商)企業。公司於2024年12月30日在香港交易所主板成功上市,股票代碼爲02577.HK。此次IPO是公司發展的重要里程碑,爲其後續的產能擴張和技術研發提供了雄厚的資本支持。
營業收入實現跨越式增長
英諾賽科在過去幾年的營收表現出強勁的增長動力。2023年,公司實現營業收入5.93億元人民幣,而2024年預計增至約8.28億元人民幣,同比大幅增長39.8%。這一增速反映出公司在氮化鎵(GaN)技術領域的市場拓展取得了顯著成效,且其氮化鎵分立器件、集成電路、晶圓和模組等產品持續推動收入增長。
歷年營業收入對比,來源:與非研究院整理
盈利能力:虧損收窄,毛利率逐步改善
儘管公司在營業收入上實現了顯著增長,盈利能力仍然是市場關注的核心焦點。英諾賽科仍處於戰略性虧損階段,以市場擴張和研發投入爲核心的高成本結構持續影響其盈利表現。
歷年淨利潤對比,來源:與非研究院整理
歷史虧損:公司在2022年、2023年以及2024年上半年淨利潤均爲負值,且虧損未能完全收窄。2023年歸母淨虧損爲11.02億元人民幣,2024年歸母淨虧損略有收窄至10.46億元人民幣。
毛利率變化:公司毛利率顯著改善,2023年毛損率爲-61.6%,而2024年則大幅縮減至-19.5%。這一變化表明公司正在從“燒錢換市場”轉向“規模化盈利”,並通過提升生產效率、優化供應鏈等措施逐步實現盈利能力的改善。
歷年毛利率變化,來源:與非研究院整理
公司經營活動產生的現金流仍然爲負數,顯示出其日常經營活動無法自我維持。2023年,英諾賽科經營活動產生的現金流量淨額爲-5.94億元,2024年爲-3.36億元,儘管有所減少,仍然無法擺脫對外部融資的依賴。公司依賴於投資和融資活動來支持其龐大的資本支出和研發投入。2024年通過IPO募資解決資金需求,這對於公司未來的擴張和生存至關重要。
英諾賽科的研發開支在2021年至2023年間分別爲6.62億元、5.81億元、3.49億元,儘管其研發開支同比有所下降,但依然佔據較大比例。公司專注於氮化鎵(GaN)技術的研發,率先實現了8英寸硅基氮化鎵晶圓量產,並提供高效的氮化鎵模組解決方案,推動其在光伏、電動汽車等領域的應用。這些技術創新爲公司建立了獨特的市場競爭力,並推動了其在全球功率半導體領域的領導地位。
歷年研發投入對比,來源:與非研究院整理
分產品及市場表現
2023年,英諾賽科的氮化鎵分立器件和氮化鎵集成電路佔公司收入的32.38%,而氮化鎵晶圓則佔35.24%。氮化鎵模組收入爲1.90億元,佔比32.04%。該公司顯著依賴中國市場,2023年中國市場收入佔比高達90.22%,顯示出其在國內市場的深度佈局。
毛利率與成本結構
英諾賽科的毛利率在過去幾年持續爲負,這一現象可歸因於以下兩個因素:
高銷售成本:由於技術研發投入巨大,導致了成本持續上升。
研發支出:公司在氮化鎵技術的研發上持續投入,進一步壓縮了利潤空間。
儘管如此,隨着生產規模的擴大和技術水平的提升,毛利率有望在未來逐步改善。
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02
英諾賽科VS納微,誰能領先下半場?
中國十大功率器件企業市值排行,來源:與非研究院製表,統計時間2025年2月
根據2025年2月的市值分析,英諾賽科的市值達到了功率器件上市企業市值第二。
作爲主營業務主要是氮化鎵的上市公司,納微半導體(NVMIC)是英諾賽科的直接對標企業。區別只是在於納微半導體是Fabless,而英諾賽科四IDM。
由於納微半導體2024年年報還沒有公佈,這裏主要對比一下2023年的年報數據。2023年第四季度(Q4),納微半導體的收入達到了2,610萬美元,同比增長了111%,與2023年第三季度的2,200萬美元相比增長了19%。全年收入總計爲7,950萬美元,相較於2022年的3,790萬美元增長了109%。:儘管收入大幅增長,納微半導體依然面臨虧損,2023年歸母淨利潤爲-1.45億美元,顯示出其在盈利能力上的挑戰。2023年,納微在多個新興領域如AI數據中心、家用電器、太陽能逆變器和衛星互聯網中取得了顯著的增長。
2023年英諾賽科的總收入爲5.93億元人民幣,佔全球氮化鎵(GaN)功率半導體市場份額的33.7%。儘管如此,其收入增長主要得益於行業快速發展,而非自身顯著的市場擴展。英諾賽科2023年淨虧損爲11.02億元人民幣,其虧損規模較大,但與2022年的虧損相比有所收窄。
營收規模對比:2023年納微半導體的全年收入爲7,950萬美元,約合5.3億元人民幣,略低於英諾賽科的5.93億元人民幣,兩者收入規模相近。但從增長角度來看,納微的收入增長表現更爲突出,較2022年增長了109%,而英諾賽科的收入增長更多受行業整體擴展的推動。
虧損情況:兩家公司都面臨虧損,但虧損規模和盈虧幅度不同。納微半導體的淨虧損爲1.45億美元,虧損幅度較大,顯示出其在擴大業務的同時,仍未實現盈利轉變。相比之下,英諾賽科的虧損爲11.02億元人民幣,儘管虧損金額較大,但虧損幅度有所收窄,且公司技術創新的突破性進展可能爲其未來的盈利提供支持。
納微半導體在氮化鎵和碳化硅技術的結合方面具備明顯優勢。通過技術創新,納微爲英偉達提供了電源模塊,並在數據中心領域佔據了重要地位。此外,納微憑藉其高效的功率轉換技術,成功打入了英偉達的核心供應鏈,這爲公司未來的收入增長提供了堅實的基礎。納微半導體的技術優勢在於其高效的電源轉換率和模塊化設計,能夠滿足大型AI數據中心對高效電源系統的需求。
英諾賽科在氮化鎵領域的市場份額佔據主導地位,其在8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產上實現了全球首個突破,證明了其技術的領先性。英諾賽科的技術創新集中在氮化鎵功率半導體的應用上,尤其是在汽車電子和能源領域,這些技術創新爲公司贏得了良好的市場聲譽和競爭力。
03
展望氮化鎵的不同技術路線
從技術路線來看,氮化鎵的不同路線主要基於不同的外延材料,目前主要大規模量產的是GaN-on-Si材料。
GaN-on-Si因其兼容現有8英寸硅生產線,具備極強的成本競爭力,成爲快充、消費類電源、太陽能逆變器的主流選擇。目前,英諾賽科等企業已將良率提升至95%,大規模產線推動單片成本下降30%-40%,使得GaN-on-Si與硅MOSFET成本相當。2025年預測顯示,40%的新電動汽車和35%的太陽能逆變器將採用GaN器件,其中多數基於硅基平臺。
但GaN-on-Si也有短板:高缺陷密度、熱導率低(1.5 W/cm·K)等問題限制其在高壓高溫場景下的擴展。儘管如此,藉助改良的緩衝層和應力管理結構,GaN-on-Si器件在<900V電壓段依然有望覆蓋多數電動汽車輔助系統和通用工業應用。
相比之下,GaN-on-SiC憑藉SiC襯底優異的熱導率(4.9 W/cm·K)和高擊穿場強,成爲5G通信、雷達、衛星通信和電動汽車主驅系統等場景的首選技術。Wolfspeed在該領域專利儲備遙遙領先,住友電工、MACOM等也形成強大布局。
不過,GaN-on-SiC仍面臨晶圓成本高(6英寸晶圓仍高達20003000美元)、工藝良率相對較低等挑戰。爲緩解成本壓力,歐洲等地已開發出更薄的外延結構,通過減薄GaN緩衝層厚度(從5μm降至200300nm),顯著降低缺陷並提升擊穿場強,有望加速該技術從射頻向電力電子拓展。
除了上述兩種平臺,還有下一代的外延路線,包括:
GaN-on-GaN通過在本徵GaN基板上外延生長,幾乎無晶格失配,具有最低缺陷密度和極高擊穿電壓(>1200V),被視爲GaN性能極限的代表。雖然價格昂貴、尺寸受限(多爲2~4英寸),但其在航天、工業電機、服務器電源等高價值場景中正逐步應用,Transphorm和英飛凌已有量產產品。
借鑑LED產業經驗,GaN-on-Sapphire憑藉較高絕緣性和穩定性,在高壓系統(如800V電動汽車)中展現潛力,但其導熱性差、機械脆弱等因素限制其成爲主流。
Qromis主推的GaN-on-QST®通過定製熱膨脹匹配的硅基板,實現大面積外延和更厚的高電壓結構,是8英寸GaN-on-Si產業化的關鍵推動力。臺系晶圓廠如世界先進正在進行樣品投放,目標市場聚焦電源管理和工業控制領域。
GaN-on-SOI(硅絕緣體)在芯片級電隔離與系統集成方面具有潛在優勢,適用於功率SoC集成;GaN-on-GaO(氧化鎵)則因其極高的帶隙,被寄予2030年後超高電壓系統(如電網電力電子)的厚望,但目前仍處於前沿實驗階段。
在基板生態佈局方面,英諾賽科已經具有較大優勢。英諾賽科已建成8英寸GaN-on-Si量產線,三安集成、海威華芯、聚力成等企業佈局GaN-on-Si和GaN-on-SiC雙線產品,推動國產外延片產業鏈走向成熟。射頻GaN領域,中國HiWafer、華進創威、三安集成正在快速積累專利,與國際巨頭在高頻器件方面展開正面競爭。此外,江蘇能華、大連芯冠、江蘇華功等廠商也在擴建GaN外延與襯底項目,增強材料自給能力。
從晶圓代工角度看,臺積電、漢磊、嘉晶等臺系企業已量產GaN-on-Si外延片,穩懋、環宇、宏捷科等提供GaN-on-SiC代工服務,並逐步拓展至6英寸和未來的8英寸平臺。
筆者認爲,未來GaN-on-Si仍是成本敏感市場的主力,GaN-on-SiC則深入射頻與高壓場景,二者長期並存。8英寸GaN-on-Si/SOI/QST方案正在普及,GaN-on-SiC亦在向6英寸乃至8英寸推進,助力良率與成本改善。GaN將在車規電驅、服務器電源、數據中心、激光雷達、毫米波通信等新興高功率/高頻應用中加速滲透。GaN-on-GaN、GaN-on-GaO等高端基板或將爲下一階段技術突破提供關鍵支撐。
04
臺積電爲何退出氮化鎵代工業務?
值得一提的事,日前全球晶圓代工龍頭的臺積電(TSMC)已明確其逐步退出氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)功率半導體代工業務的計劃。其核心原因包括GaN業務相對較低的利潤率、來自中國大陸競爭對手的激烈價格戰、以及公司將資源集中於AI芯片等高利潤先進製程的戰略重心轉移。
此舉將對高度依賴臺積電產能的Fabless(無晶圓廠)設計公司,特別是氮化鎵行業領導者納微半導體(Navitas),構成嚴峻挑戰,迫使其加速供應鏈的多元化進程 。同時,臺積電留下的市場真空也爲其他晶圓代工廠(如德國X-Fab、臺灣漢磊)以及採取IDM(垂直整合製造)模式的廠商(如英飛凌)提供了前所未有的發展機遇 。有報道稱,Navitas正在與臺灣的 力積電(PSMC) 等其他代工廠商接洽,商討產能轉移事宜 。這一過程不僅考驗Navitas的工程能力和項目管理水平,也可能在短期內影響其產品交付和成本結構。
除了Navitas,其他與臺積電有合作的GaN客戶,如 意法半導體(STMicroelectronics) 和 羅姆(Rohm) ,雖然它們自身也具備一定的生產能力或與其他代工廠有合作,但同樣需要調整其供應鏈策略以應對臺積電的產能退出。
臺積電退出氮化鎵代工業務,也跟以英諾賽科(Innoscience)爲代表的中國大陸GaN企業有關。憑藉其龐大的8英寸產能和成本優勢,英諾賽科採取了極具侵略性的定價策略,導致全球GaN芯片價格持續下滑,嚴重侵蝕了利潤空間 。對於一向追求高利潤率、並以價值爲導向定價的臺積電而言,GaN業務的盈利能力已無法滿足其戰略要求。
部分行業分析認爲,GaN器件的特性可能與臺積電的純晶圓代工(Foundry)模式存在根本性的“水土不服” 。GaN功率器件的設計和製造工藝需要高度的協同與深度集成,才能最大化性能和可靠性。在這種情況下,IDM(垂直整合製造)模式,即由一家公司完成從設計、製造到封測的全過程,可能更具優勢。
另一個不容忽視的因素是中國在全球鎵(Gallium)原料供應中的主導地位。中國控制着全球約80%至98%的初級鎵產量,而鎵是生產GaN外延片不可或缺的關鍵原材料 。近年來,地緣政治緊張局勢加劇,中國已對鎵等關鍵礦物實施出口管制。這爲包括臺積電在內的非中國GaN製造商帶來了潛在的供應鏈安全風險和成本壓力。
值得一提的事,出了英諾賽科,英飛凌這樣的IDM正在大力投資於GaN技術,並計劃將其GaN生產線向更具成本效益的300mm(12英寸)晶圓過渡,這將進一步鞏固其成本優勢 。臺積電的退出,無疑會加速客戶向英飛凌等擁有穩定產能和清晰技術路線圖的IDM廠商靠攏 。
05
告別低價策略,氮化鎵產業迎來雙重洗牌
在全球GaN產業邁入新一輪結構性調整週期之際,英諾賽科的成長路徑爲觀察這一行業變局提供了極具代表性的樣本。
過去幾年,英諾賽科通過率先量產8英寸硅基GaN晶圓、構建全電壓譜系產品(低壓、高壓)、打造IDM一體化運營模式,逐步建立起從設計、製造到封裝的技術閉環。在PD快充市場建立壓倒性優勢之後,公司並未止步於消費電子,而是加速將GaN方案拓展至服務器、AI算力中心、工業電源與汽車電子等新興高增長場景,在全球功率半導體的轉型過程中持續擴大其影響力。
然而,快速擴張背後也顯現出產業的深層挑戰。當前全球GaN市場仍處於“規模快速放大、盈利能力尚未穩定”的發展初期。以英諾賽科爲例,其早期聚焦PD市場雖然迅速建立規模優勢,但由於標準化程度高、價格競爭激烈,導致利潤率始終處於低位,加之初期大規模投入折舊和客戶結構分散,使得公司長期處於虧損狀態。正是到了2025年,伴隨服務器和AI客戶開始放量、系統解決方案營收比重提升,公司首次實現正向現金流,爲後續的盈利轉折與資本運作奠定了基礎。
值得關注的是,英諾賽科的成功在於其從技術到市場的“平臺型戰略”。公司並不直接面向終端客戶,而是以“GaN”晶圓服務於衆多IC設計廠商,進而構建出標準化、通用性強的產品生態。這一策略不僅極大降低了商業運營成本,還提高了客戶黏性與生態耦合度,是其在PD市場獲得50%以上份額的關鍵所在。如今,這一平臺邏輯正在複製到400V、800V電源系統中,通過與AI服務器、自動駕駛SoC模塊、電動汽車廠商的合作,英諾賽科力求在功率半導體的“下一戰”中再次領先。
但這一路徑也存在地緣與全球化的制約因素。GaN產業高度依賴於晶圓製造、外延材料和設備支持,國際客戶在大宗訂單配置上對地緣政治高度敏感,英諾賽科必須持續提升本地化交付能力與技術透明度,才能進一步打開海外增長空間。在拓展海外市場時,英諾賽科將面臨TI和英飛凌兩家國際巨頭的競爭,且這兩家從低壓到高壓全覆蓋。
最後,英諾賽科在 “逼退”巨人的同時也暴露了行業自身的困境。低價策略雖然能搶佔市場,但長期來看不利於企業的盈利和研發投入,整個行業可能陷入“增收不增利”的怪圈 。展望未來2~3年,GaN產業將迎來技術和商業模式的雙重洗牌。決定下一輪勝出的,將不再僅僅是單點技術突破,而是產業鏈整合能力、標準化平臺能力以及持續盈利的內在造血機制。在這場全球功率半導體變革中,英諾賽科雖然不再是唯一的技術引領者,卻有可能成爲最早完成從技術優勢向商業閉環跨越的玩家之一。誰能真正“做出來”並“賣出去”,纔是決定未來版圖的關鍵。