金融界2025年8月9日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN120456589A，申請日期爲2024年02月。

專利摘要顯示，一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：襯底，襯底包括第一區和第二區，第一區的器件工作電壓小於第二區的器件工作電壓；鰭部，分立於第一區和第二區的襯底上；隔離層，位於襯底上且圍繞鰭部的部分側壁，被隔離層暴露的鰭部作爲有效鰭部，第一區的有效鰭部高度大於第二區的有效鰭部高度；第一柵介質層，位於第二區的有效鰭部上；第二柵介質層，位於第一區的有效鰭部上，第二柵介質層的厚度小於第一柵介質層的厚度；柵極層，橫跨有效鰭部且覆蓋第一柵介質層和第二柵介質層，柵極層覆蓋有效鰭部的部分頂部和部分側壁。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目127次，財產線索方面有商標信息150條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可451個。