本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合三星計劃在其HBM4產品中使用1c DRAM，而SK海力士則計劃在同一類別中採用上一代1b DRAM。在全球存儲芯片行業最新戰場——10納米級第六代DRAM領域（1c、11-12納米級）競賽中，三星電子與SK海力士採取了截然不同的策略。為了從上一代產品的挫折中恢復過來，三星迅速採取行動，投資新的生產設施，而SK海力士則推遲大規模支出，直到在與包括...
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