大摩最新預警全球內存市場重大轉變即將到來：HBM(高帶寬內存)的"溢價神話"正面臨挑戰，而傳統存儲產品面臨週期性修復機遇。

8月14日，據追風交易臺消息，摩根士丹利在最新研報中稱，隨着HBM市場競爭加劇和定價壓力顯現，傳統DRAM和NAND產品有望在2026年迎來更可持續的增長。

該行指出，HBM定價環境正快速變化，2026年將出現重大份額轉移和競爭加劇，但短期內風險看似已得到控制，雲服務資本開支數據向好以及關稅緩解預期，爲HBM收益迴歸正常和可持續水平創造條件。

在宏觀環境改善的背景下，特別是美國CPI數據溫和推高降息預期，市場資金正從AI驅動的內存股轉向對經濟敏感的傳統內存板塊。大摩預計，如果美聯儲降息、經濟增長預期改善，偏好傳統商品內存而非HBM，特別看好傳統DRAM。

HBM競爭加劇："溢價神話"面臨挑戰

定價壓力顯現。大摩渠道調研顯示，SK海力士與英偉達的HBM3E 12hi合約定價談判中，價格區間仍在每立方440美元左右(1.69美元/Gb)，但談判仍在進行中尚未最終確定。

更值得關注的是HBM4的定價動態。大摩渠道調研顯示，HBM4定價已敲定在590-600美元區間(2.3-2.34美元/Gb)，但大摩認爲這不太可能是全年承諾合同。大摩強調：

關鍵在於，如果三星通過HBM4資格認證，定價將面臨進一步折扣壓力，季度談判模式可能成爲常態。

市場份額重新洗牌。大摩認爲，最重要的市場變化是份額重新分配，預計SK海力士在英偉達市場的份額將從2025年的85-90%下降至2026年的50%以上，主要源於三星和美光日益激烈的競爭。

大摩指出，三星的追趕步伐超出預期。據供應鏈調研，三星已向主要客戶發送HBM4早期樣品，預計8月底前向英偉達提交最終產品。其1c製程工藝爬坡順利，良率顯著改善，爲打破SK海力士壟斷創造了條件。

傳統存儲："週期歸來"邏輯漸顯

DRAM（動態隨機存儲）市場短期面臨定價壓力。在傳統DRAM市場，摩根士丹利觀察到第三季度合約定價漲幅有所收窄。DDR5主流產品方面，服務器客戶接受了2-3%的季度環比漲幅，而部分PC客戶爲建立庫存願意接受更高定價。

中期前景向好。大摩稱，第四季度合約定價漲幅預計將進一步放緩，大多數消費電子客戶的DDR5價格可能保持平穩，而AI需求將支撐服務器客戶價格實現低至中個位數漲幅。DDR4方面，儘管供應商庫存相對精簡，但隨着客戶升級規格並已建立部分庫存，漲幅將較第三季度大幅下降。

大摩還注意到，一些客戶對生產商第三季度DDR5合約5-10%的漲價要求表示抵制，近期交易多在中低個位數水平。這表明傳統DRAM市場的定價能力正在減弱，但週期性底部可能正在形成。

NAND（閃存）市場呈現明顯分化特徵。在NAND市場，大摩表示，3季度合約定價以環比上漲3-5%敲定，低於此前市場預期的5-10%漲幅。PC客戶面臨5-10%漲價，智能手機UFS/eMMC（嵌入式存儲技術）基本持平，eSSD（企業級固態硬盤）需求環比上升3-5%。

4季度將出現AI與非AI需求分化。大摩指出，TrendForce預計綜合ASP環比下降0-5%，主要受PC和智能手機消費需求疲軟拖累。但企業級SSD強勁需求有望延續至2026年上半年，隨着AI基礎設施在推理應用上的擴展和AI資本支出保持強勁，eSSD定價預計4季度上漲0-5%。

摩根士丹利預計，企業級SSD（固態硬盤）定價在2025年第四季度將上漲0-5%。QLC NAND（閃存的一種類型）替代HDD（機械硬盤）的進程可能在2026年下半年加速，Meta正引領採用更多企業級SSD的進展。隨着HDD交貨週期延長至約一年，許多服務器客戶正尋求近線QLC企業級SSD解決方案。

摩根士丹利在報告中表示，基於定價前景考慮，更偏好商品內存而非HBM產品，特別是傳統DRAM。

值得注意的是，大摩強調宏觀因素對內存股的重要影響。美國CPI數據向好推高美聯儲降息預期，如果經濟增長預期轉好、利率確實下降，那麼反向交易邏輯開始顯現，市場可能輪動至被嚴重低估的傳統商品內存股。