IT之家 8 月 20 日消息，臺媒《MoneyDJ 理財網》今日援引供應鏈消息表示，臺積電全資子公司 TSMC Arizona 運營的美國亞利桑那州菲尼克斯（鳳凰城）Fab 21 超大晶圓廠集羣的第二階段 P2（IT之家注：即其它表述中的 Fab 2）產能結構將由純 3nm 轉向 3nm + 2nm 混合。

據悉 TSMC Arizona Fab 21 P2 目前正進行內部無塵室和機電整合工程，2026 年 10 月啓動設備裝機。該階段晶圓廠劃分爲 A / B 兩個區域，其中 A 區繼續部署 3nm FinFET 製造能力；B 區則提前導入 2nm GAA 工藝，無需等待後續 P3 晶圓廠建成。

臺媒認爲，Fab 21 P2 有望在 2027 年第二季度建成 mini-line 試點生產線，同年第四季度量產，進度早於此前預期的 2028 年。

擁有 5/4nm FinFET 製造能力的 TSMC Arizona Fab 21 P1 已實現量產，並在今年二季度爲臺積電貢獻了稅後淨利潤。

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