英偉達計劃開發HBM基礎裸片:採用3nm工藝,計劃2027H2試產,重塑市場格局

市場資訊
08/18

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(來源:超能網)

今年4月,SK海力士宣佈與臺積電(TSMC)簽署了諒解備忘錄(MOU),就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。雙合作開發第六代HBM產品,也就是HBM4,其中臺積電負責生產基礎裸片(Base Die)。不同於以往的HBM產品,HBM4將迎來定製設計,英偉達也計劃在明年基於Rubin架構GPU的下一代AI加速器中使用。

據TrendForce報道,傳聞英偉達已開始開發自己的HBM基礎裸片,這在供應鏈中泛起了漣漪,因爲很可能重塑下一代HBM格局。預計英偉達的自研HBM基礎裸片採用3nm工藝製造,計劃在2027年下半年進行小批量試產。

有分析指出,英偉達此舉表明了其朝着定製HBM設計的基礎裸片方向邁進,或許會將部分GPU功能集成到基礎裸片中,旨在提高HBM和GPU的整體性能。英偉達可能會在2027年上半年首先採用SK海力士供應的標準HBM4E,然後從2027年下半年至2028年期間過渡到自己的定製HBM4E設計。

目前SK海力士以以內部芯片設計主導HBM市場,但是要實現10Gbps以上的I/O速率,需要先進製程節點的支持,比如臺積電的12nm或以下的工藝來製造芯片。由於存儲器製造商缺乏複雜的基礎芯片IP和ASIC設計能力,所以英偉達需要開發專用的HBM基礎裸片,利用NVLink Fusion提供更多模塊化解決方案,並加強生態系統控制。

有消息人士透露,英偉達會將UCIe接口集成到HBM4中,以實現GPU和CPU直接連接,這麼做也將大大增加設計複雜性。最大的受益者可能是臺積電,與主要芯片設計公司的密切合作,加上不斷改進的製程工藝,使其處於人工智能快速發展的核心地帶。

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