炒股就看金麒麟分析師研報，權威，專業，及時，全面，助您挖掘潛力主題機會！

（來源：超能網）

今年4月，SK海力士宣佈與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。雙合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，其中台積電負責生產基礎裸片（Base Die）。不同於以往的HBM產品，HBM4將迎來定製設計，英偉達也計劃在明年基於Rubin架構GPU的下一代AI加速器中使用。

據TrendForce報道，傳聞英偉達已開始開發自己的HBM基礎裸片，這在供應鏈中泛起了漣漪，因為很可能重塑下一代HBM格局。預計英偉達的自研HBM基礎裸片採用3nm工藝製造，計劃在2027年下半年進行小批量試產。

有分析指出，英偉達此舉表明了其朝着定製HBM設計的基礎裸片方向邁進，或許會將部分GPU功能集成到基礎裸片中，旨在提高HBM和GPU的整體性能。英偉達可能會在2027年上半年首先採用SK海力士供應的標準HBM4E，然後從2027年下半年至2028年期間過渡到自己的定製HBM4E設計。

目前SK海力士以以內部芯片設計主導HBM市場，但是要實現10Gbps以上的I/O速率，需要先進製程節點的支持，比如台積電的12nm或以下的工藝來製造芯片。由於存儲器製造商缺乏複雜的基礎芯片IP和ASIC設計能力，所以英偉達需要開發專用的HBM基礎裸片，利用NVLink Fusion提供更多模塊化解決方案，並加強生態系統控制。

有消息人士透露，英偉達會將UCIe接口集成到HBM4中，以實現GPU和CPU直接連接，這麼做也將大大增加設計複雜性。最大的受益者可能是台積電，與主要芯片設計公司的密切合作，加上不斷改進的製程工藝，使其處於人工智能快速發展的核心地帶。

海量資訊、精準解讀，盡在新浪財經APP