智通財經APP獲悉，8月22日，天嶽先進(02631)與東芝電子元件及存儲裝置株式會社就天嶽先進開發製造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議，雙方將開展以下合作：針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作，以及運用合作成果擴大高品質穩定襯底供應的商業合作。

智通財經瞭解到，承擔電力供應與控制功能的功率半導體，是實現所有電氣設備節能化及碳中和不可或缺的半導體元件。在設備電力使用效率提升等需求背景下，預計未來其市場需求將持續擴大。其中採用SiC襯底的功率半導體，因其應用於電動汽車、可再生能源系統等要求高效電力轉換場景，在電力效率之外，可靠性與品質穩定性也成爲重要課題。

基於此，東芝電子元件以鐵路用SiC功率半導體的開發、製造及供應實績爲基礎，正加速推進服務器電源用、車載用等SiC器件開發，未來將致力於進一步降低SiC功率半導體損耗，開發面向高效電力轉換應用的高可靠性、高效率產品。爲此，除東芝電子元件自主研發外，與SiC襯底技術改良的緊密協作也至關重要。此次與在SiC襯底開發及量產技術領域具有全球領導地位的天嶽先進達成具體合作，有望爲各應用場景提供最優解決方案，加速業務拓展。

據悉，天嶽先進自2010年創立以來，始終專注於單晶SiC襯底的開發生產。公司將品質與技術研發作爲核心經營理念，碳化硅襯底領域相關專利數量全球前五。以2022年中國首家SiC概念企業上市爲契機，實現了全球化業務拓展與市場份額垂直增長。2024年率先發布全球首款12英寸SiC襯底，2025年實現n型、半絕緣型及p型全系產品12英寸襯底佈局。未來公司將繼續通過卓越品質與尖端技術。此次與東芝電子元件達成合作，天嶽先進將把SiC功率半導體產品的需求，以及東芝對SiC襯底核心技術應用的期待，轉化爲襯底品質與可靠性的提升，助力SiC功率半導體市場發展。