金融界2025年8月23日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN120529615A，申請日期爲2024年02月。

專利摘要顯示，一種半導體結構及其形成方法，結構包括：基底，基底包括襯底以及凸立於所述襯底上的鰭部；第一功函數層，位於所述襯底頂部，且覆蓋所述鰭部的部分頂部和部分側壁，所述鰭部頂部的第一功函數層的厚度小於所述鰭部側壁的第一功函數層的厚度；器件柵極結構，位於所述基底的頂部且橫跨所述鰭部的部分頂部和部門側壁，所述器件柵極結構覆蓋所述第一功函數層；層間介質層，位於所述器件柵極結構露出的所述基底上，且所述層間介質層覆蓋所述器件柵極結構的側壁。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目127次，財產線索方面有商標信息150條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可449個。