士蘭微、揚傑科技等披露SiC業務進展

行家説三代半

08/26

近日，多家碳化硅企業發佈半年度報道，並披露了碳化硅業務最新進展，具體如下：士蘭微：基於Ⅱ代SiC-MOSFET芯片的主驅模塊累計出貨2萬顆，預計8吋產線年末通線；揚傑科技：SiC MOS市場份額持續增加，芯片&模塊產線均實現投產；賽晶科技：自研1200V/13mΩSiC芯片，收購湖南虹安實現SiC業務互補；新潔能：SiC MOSFET實現批量供貨，預計年末推出車規級產品。士蘭微：預計8吋SiC產線...

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MOSFET實現批量供貨，預計年末推出車規級產品。士蘭微：預計8吋SiC產線年末通線8月23日，士蘭微公佈2025年半年度報告，其中透露：上半年公司營業總收入約為 63.36億元，比2024年同期增長20.14%，實現歸屬於母公司股東的淨利潤為2.65億元，相比2024 年同期實現扭虧為盈。除了在業績上取得增長外，士蘭微的碳化硅業務也獲得多個突破：上半年士蘭微功率半導體和分立器件產品的營業收入達到30.08億元，較去年同期增長約 25%。其中，應用於汽車、光伏的IGBT和SiC（模塊、器件）的營業收入較去年同期增長80%以上。2025年上半年，基於士蘭微自主研發的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊出貨量累計達2萬顆，客户端反映良好，客户數量已持續增加。士蘭微第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客户評測，基於第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊2025年下半年將會上量。截至目前，士蘭明鎵已形成月產1萬片6吋SiC-MOSFET芯片的生產能力，預計下半年6吋SiC芯片出貨量將較快上升。2025年上半年，士蘭微加快推進“士蘭集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生產線”項目的建設。6月底，士蘭集宏已實現首台工藝設備搬入，預計今年四季度將實現8吋SiC大線通線。揚傑科技：SiC芯片&模塊項目均已投產8月20日，揚傑科技發佈了2025 年半年度報告。2025年上半年，揚傑科技營業收入約為34.55億元，同比增長20.58%，歸屬於上市公司股東的淨利潤約為6.01億元，同比增長41.55%。在碳化硅業務方面，揚傑科技主要透露了SiC MOS及模塊業務的進展：報告期內， MOSFET、IGBT、SiC 等產品整體訂單和出貨量較去年同期快速提升，上半年度營收同比增長20.58%。報告期內SiC MOS市場份額持續增加，當前各類產品已廣泛應用於 AI 服務器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業電源等領域。揚傑科技首條SiC芯片產線順利實現量產爬坡，首條SiC車規級功率半導體模塊封裝項目建成並投產。其中，SiC芯片工廠已升級到第三代SiC MOS平台，比導通電阻（RSP）已做到 3.33mΩ.cm²以下，FOM 值達到 3060mΩ.nC 以下。車載模塊方面，IGBT模塊/SiC模塊目前在多家汽車客户完成送樣，並且已經獲得多家 Tier1 和終端車企的測試及合作意向。賽晶科技：將收購湖南虹安8月25日，賽晶科技舉行了2025年中期業績線上發佈會，就上半年財務及經營表現進行了全面解讀。報告期內，賽晶科技入8.88億元，同比增長35.5%，歸母淨利潤9377萬元人民幣，較2024年同期增長178%；針對碳化硅業務，賽晶科技透露：在SiC芯片方面，其自研SiC芯片已經到達國際領先水平的1200V/13mΩ，HEEV封裝、EVD封裝模塊，參數低至2mΩ至4mΩ，保持領先地位。此外，今年7月賽晶科技還宣佈收購湖南虹安，由旗下賽晶半導體增加註冊資本420.6136萬美元，投資者將以其在湖南虹安的100%股權出資認購，合計佔賽晶半導體經擴大後股權的9%。賽晶科技表示，此次增資換股，賽晶半導體可以系統性整合雙方資源，從而實現協同效應。諸如湖南虹安的核心團隊將會有力地補充賽晶半導體的技術團隊，並且其在碳化硅技術上將與賽晶半導體現有的技術研發與產品佈局形成高度互補。新潔能：SiC MOSFET已批量供貨8月20日，新潔能亦公佈了2025年半年度報告。報告期內，新潔能共實現營業收入約9.3億元，較去年同期增長了6.44%；歸屬於上市公司股東的淨利潤約2.35億元，較去年同期增長了8.03%。新潔能的主營業務聚焦MOSFET、IGBT 等半導體芯片、功率器件和功率模塊，在碳化硅功率半導體領域的最新進展為：新潔能重點佈局800V高壓平台及48V車載系統，車規級SiC MOSFET產品預計將於2025年第四季度實現量產。第2代SiC MOSFET平台實現批量供貨，主要用於光伏儲能、新能源汽車充電樁、汽車OBC、工業可靠性設備、工業電源、工業自動化、家用電器等領域。第2.5代SiC MOSFET產品完成開發，通過多家頭部客户測試，處於小批量供貨階段。第3代SiC MOSFET產品平台完成工藝流程設計，相關產品處於開發階段。新潔能規劃有和傳統硅基IGBT/超結 MOSFET驅動完全兼容的SiC產品，相關產品已完成工藝設計、產品設計，處於工程流片階段。截至本報告期末，募投項目“第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測的研發及產業化”、“SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規級）的研發及產業化”等項目仍在建設中，預定可使用狀態日期延期至2027年8月。插播：天科合達、天嶽先進、同光半導體、爍科晶體、泰坦未來、浙江晶瑞、芯聚能、三安半導體、安海半導體、華卓精科、快克芯裝備、合盛新材料、京航特碳、恆普技術、奧億達新材料、創鋭光譜、西湖儀器、北方華創、科友半導體、九域半導體、國揚電子、凌鋭半導體、中電化合物、昕感科技、羿變電氣、東尼電子、西格瑪、銘揚半導體、瑞霏光電、力冠微、格力電子、芯研科等已確認參編《2025碳化硅襯底與外延產業調研白皮書》及《2025碳化硅器件與模塊產業調研白皮》，參編諮詢請聯繫許若冰（hangjiashuo999）。本文發自【行家説三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。其他人都在看：又一國產SiC MOS獲得頭部車企項目定點天嶽先進新動作！SiC佈局再下一子又一頭部廠商實現溝槽柵SiC上車","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"}}}