美國撤銷三星、SK海力士、英特爾在華VEU豁免 存儲國產化窗口期再度打開

中國經營報
08/30

  中經記者陳佳嵐廣州報道

  8月30日,《中國經營報》記者查詢聯邦公報(Federal Register)於2025年8月29日歸檔的文件瞭解到,特朗普政府已決定撤銷三星電子、SK海力士在中國業務的「驗證最終用戶」(Validated End-User, VEU)授權。這一政策變動將於公告發布後120天生效,旨在進一步限制中國獲取先進芯片製造技術,或將加劇全球半導體供應鏈的緊張局勢。

  探索科技首席分析師王樹一對記者分析,三星與海力士在華產能可觀,若美方完全切斷供應鏈,短期內非美替代跟進難度較大,現有產能外遷亦時間不足,或將引發存儲器供給緊張。

  VEU是美國商務部工業與安全局(BIS)設立的一種制度,旨在簡化對受信任的、低風險的外國最終用戶的出口流程。被列入VEU清單的企業,可以從美國進口指定的受管制物項(包括半導體設備和技術)而無須再單獨申請出口許可證。

  根據美國商務部工業與安全局修訂的《出口管理條例》(EAR),美國將從中國VEU授權列表中移除三星中國半導體有限公司(Samsung China Semiconductor Co. Ltd.)、SK海力士半導體(中國)有限公司[SK hynix Semiconductor (China) Ltd.]以及英特爾半導體(大連)有限公司[Intel Semiconductor (Dalian) Ltd.]。此前,這些公司享有VEU豁免,可無須逐筆申請許可證,直接從美國進口芯片製造設備到其位於中國的工廠。撤銷後,這些企業必須為每筆相關交易申請單獨出口許可證。

  資料顯示,三星中國半導體有限公司成立於2012年,是三星電子為推進其存儲芯片業務全球佈局,投巨資在西安建設的半導體制造工廠。當前,三星西安工廠是全球最大的NAND閃存生產基地之一。

  SK 海力士半導體(中國)有限公司成立於2005 年,位於江蘇省無錫市,是存儲芯片製造商韓國SK海力士最大規模海外生產基地,主要生產DRAM。

  英特爾半導體(大連)有限公司成立於2006年,曾是英特爾在華重要的NAND閃存生產基地。2020年10月,SK海力士與英特爾達成協議,以90億美元整體收購後者NAND閃存及SSD業務,交易分兩個階段,SK海力士於2021年完成對英特爾NAND和SSD業務的首筆交割,截至2025年3月,SK海力士已完成對英特爾NAND業務及大連工廠的全面收購,工廠現由SK海力士全資子公司運營。

  撤銷VEU意味着三家公司在中國工廠的半導體生產(如NAND、DRAM)將面臨更嚴格審查,可能影響供應鏈和產能擴張。

  國內集成電路行業專業人士認為,這一舉措將給三星、SK海力士在華工廠帶來產能凍結、資本開支被迫外遷、客戶轉移、供應鏈再分配等諸多風險。在供應鏈再分配方面,國產模組廠(比如江波龍、佰維、時創意)短期或受益。

  國內集成電路行業專業人士亦表示,存儲國產化的窗口機遇再次打開,國產存儲廠商長江存儲、長鑫存儲將獲得更明確的市場缺口和發展機遇。而中微公司北方華創、拓荊等設備與材料的國產替代緊迫性隨之上升。

  報道顯示,長江存儲正深化與本土工具製造商,如專門從事蝕刻設備的中微公司、專注於沉積和蝕刻設備的北方華創、沉積設備供應商拓荊科技的合作,加速替換外國設備。這可能提升本土公司在光刻膠、蝕刻機等領域的競爭力,甚至是成熟工藝的競爭力。

  「120天的緩衝期,政策再有變化也有可能。」王樹一同時指出,事件或仍有迴旋餘地,停產概率不高。長期來看,美國以限制中國為由損害盟友商業利益,將反噬自身,並加速非美生態壯大。

(文章來源:中國經營報)

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