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（來源：超能網）

AMD和英偉達都將在2026年的下一代AI加速器中首次採用定製HBM，均爲基於HBM4的設計，以提升性能，降低延遲。前一段時間有傳言稱，英偉達已開始開發自己的HBM基礎裸片（Base Die），以適應未來的發展趨勢，這很可能重塑HBM的格局。預計英偉達的自研HBM基礎裸片採用臺積電（TSMC）的3nm工藝製造，計劃在2027年下半年進行小批量試產。

據TrendForce報道，隨着英偉達自研HBM基礎裸片的到來，加上HBM定製設計會帶來更大的差異化，大家對DRAM廠商在基礎裸片上的動向變得更爲關心。過去基礎裸片都是使用DRAM工藝製造，因此DRAM廠商都是自己完成設計和生產。不過DRAM工藝在速度、信號完整性和能效上都落後於代工廠的技術，隨着新一代HBM的性能要求變得更高，促使DRAN廠商進行轉換。

三星和SK海力士都計劃在HBM4時代開始，將基礎裸片的生產轉移到代工廠，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。其中SK海力士最爲積極，很早就宣佈與臺積電合作，雙方共同開發HBM產品。相比之下，美光的態度更爲謹慎，出於成本方面的考慮，HBM4仍然採用DRAM工藝生產基礎裸片，打算推遲到HBM4E才轉換到臺積電負責生產，不過這麼做有可能讓其失去競爭優勢。

將基礎裸片轉換到代工廠將對HBM產品帶來成本壓力，特別是不得不依賴臺積電的SK海力士和美光，先進製程節點的高成本可能讓其HBM產品的定價高於三星。三星本身就有代工廠，預計會從內部生產中獲得潛在的成本優勢。有業內人士透露，臺積電生產的基礎裸片約佔SK海力士HBM4總生產成本的20%。