據台灣財訊雙周刊,為提升性能,英偉達在新一代Rubin處理器的開發藍圖中,計劃把CoWoS先進封裝環節的中間基板材料,由硅換成碳化硅(SiC)。目前台積電邀請各大廠商共同研發碳化硅中間基板的製造技術,英偉達第一代Rubin GPU仍會採用硅中間基板。但由於英偉達對性能進步的要求極高,當芯片內產生的熱超過極限,就必須採用碳化硅,最晚2027年,碳化硅就會進入先進封裝。
據台灣財訊雙周刊,為提升性能,英偉達在新一代Rubin處理器的開發藍圖中,計劃把CoWoS先進封裝環節的中間基板材料,由硅換成碳化硅(SiC)。目前台積電邀請各大廠商共同研發碳化硅中間基板的製造技術,英偉達第一代Rubin GPU仍會採用硅中間基板。但由於英偉達對性能進步的要求極高,當芯片內產生的熱超過極限,就必須採用碳化硅,最晚2027年,碳化硅就會進入先進封裝。
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