日前，數據顯示，繼第一季度之後，SK海力士今年第二季度在全球DRAM市場上蟬聯第一。這表明，憑藉着在高帶寬存儲器（HBM）市場上的優勢，SK海力士正持續擴大與三星電子的銷售額和佔有率差距。

近年來，國內政策持續推動存儲器領域自主創新、國產替代。“十四五”國家信息化規劃明確將存儲芯片列爲“卡脖子”技術攻堅重點。2023年國務院《新時期促進集成電路產業高質量發展的若干政策》對存儲器企業實施15%所得稅優惠；2024年工信部“存儲產業創新工程”專項撥款120億元支持3D NAND研發。

在企業層面，截至2025年6月，長江存儲128層QLC芯片良率獲得明顯突破，長鑫存儲LPDDR5產能達大幅提升，政策紅利轉化爲實質產能提升。

Omdia調查數據顯示，今年第二季度，隨着DRAM合約價格上漲和HBM出貨量增加，全球DRAM產業的銷售額爲309.16億美元（約合人民幣2206.04億元），比前一季度增長了17.3%。

展望後市，Omdia預測2025年全球HBM需求將達2.3億GB，複合增長率41%，其中中國AI芯片企業採購佔比將升至35%；Counterpoint指出車載DRAM市場規模2025年將達72億美元，自動駕駛L4級車型單機存儲需求超1TB；相關機構預計，2025年中國存儲產業規模將超過8000億元。

具體到A股市場，機構預計三、四季度存儲價格有望持續上漲，AI需求拉動高價值產品增長，可關注受益於漲價和國產替代的龍頭企業。