禾納半導體申請MOS晶體管封裝級測試方法及裝置專利,提前識別導致器件失效的隱患

市場資訊
09/05

國家知識產權局信息顯示,禾納半導體(深圳)有限公司申請一項名為「MOS晶體管的封裝級測試方法及裝置」的專利,公開號CN120595072A,申請日期為2025年06月。

專利摘要顯示,本發明涉及MOS晶體管技術領域,公開了一種MOS晶體管的封裝級測試方法及裝置。該方法:對封裝MOS晶體管施加多頻率脈衝信號,得到不同頻率下的MOS晶體管響應數據;對所述MOS晶體管響應數據進行參數同步採集,得到原始測試數據;對所述原始測試數據執行封裝寄生效應補償處理,得到校正測試數據;對所述校正測試數據進行信號特徵分解,得到MOS晶體管的特徵參數集;基於所述特徵參數集進行封裝缺陷分析,得到缺陷識別報告。

天眼查資料顯示,禾納半導體(深圳)有限公司,成立於2018年,位於深圳市,是一家以從事房地產業為主的企業。企業註冊資本1000萬人民幣。通過天眼查大數據分析,禾納半導體(深圳)有限公司參與招投標項目1次,財產線索方面有商標信息14條,專利信息12條,此外企業還擁有行政許可9個。

聲明:市場有風險,投資需謹慎。本文為AI基於第三方數據生成,僅供參考,不構成個人投資建議。

免責聲明:投資有風險,本文並非投資建議,以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請,作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考,不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證,投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。

熱議股票

  1. 1
     
     
     
     
  2. 2
     
     
     
     
  3. 3
     
     
     
     
  4. 4
     
     
     
     
  5. 5
     
     
     
     
  6. 6
     
     
     
     
  7. 7
     
     
     
     
  8. 8
     
     
     
     
  9. 9
     
     
     
     
  10. 10