近日，臺積電被曝號召設備廠與化合物半導體廠商參與其12英寸單晶碳化硅（SiC）散熱載板研發計劃，擬取代傳統氧化鋁、藍寶石或陶瓷基板。與此同時，英偉達也計劃在新一代GPU芯片的先進封裝中採用碳化硅襯底作爲中介層材料。此舉或將推動碳化硅材料在高性能芯片領域的廣泛應用。
近日，臺積電被曝號召設備廠與化合物半導體廠商參與其12英寸單晶碳化硅（SiC）散熱載板研發計劃，擬取代傳統氧化鋁、藍寶石或陶瓷基板。與此同時，英偉達也計劃在新一代GPU芯片的先進封裝中採用碳化硅襯底作爲中介層材料。此舉或將推動碳化硅材料在高性能芯片領域的廣泛應用。
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