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來源：內容編譯自etnews。

NVIDIA 修改了其推出低功耗 DRAM (LPDDR) 模塊 SOCAMM 的計劃，該模塊被稱爲“第二代高帶寬內存 (HBM)”。該公司已放棄 SOCAM1 項目，決定推出 SOCAM2，並已開始與三家內存製造商進行測試。美光公司在 SOCAM1 方面佔據競爭優勢，但三星電子和 SK 海力士被認爲有機會彌補這一差距。

據業內人士 14 日報道，NVIDIA 已開始與三星電子、SK 海力士和美光公司進行 SOCAMM2 樣品測試。在準備將強調低功耗的 SOCAM1 應用於 AI 服務器時，由於出現了技術問題，NVIDIA 不得不採用新的 SOCAMM2 標準。

一位知情人士表示：“NVIDIA 最初計劃在年內推出 SOCAMM1，但由於技術問題導致項目兩次擱置，未能獲得實際的大規模訂單。”該知情人士補充道：“現在任務已經轉移到SOCAM2，三家內存製造商目前正在響應樣品測試。”

SOCAM是NVIDIA正在推進的AI專用內存模塊標準。它旨在以比高帶寬內存（HBM）更低的成本和功耗提供高容量內存。

SOCAM採用低功耗DRAM LPDDR。據報道，它的功耗比基於DRAM的標準服務器內存模塊RDIMM低三分之一。

從技術上講，SOCAM 2擁有與SOCAM 1相同的694個輸入/輸出（I/O）端口，但其數據傳輸速度高達9,600 MT/s，高於SOCAM 1的8,533 MT/s（美光）。此外，據報道，該公司正在考慮採用下一代低功耗內存LPDDR6。

NVIDIA 決定跳過 SOCAM 1 並推出 SOCAM 2，預計將在業內引發褒貶不一的反響。最初，內存行業對 SOCAM 的益處充滿期待，並期待着它能開啓一個超越 HBM 的全新 AI 內存市場。三星電子和 SK 海力士在電話會議中宣佈，他們“正在爲第三季度 SOCAM 的量產做準備”。然而，產品上市的延遲也耽誤了商機。

一些分析師認爲，這對三星電子和 SK 海力士來說可能是因禍得福。美光率先完成 SOCAM 1 的質量評估，獲得了競爭優勢，而現在，這三家內存製造商在 SOCAM 2 的研發上都處於同一起點。美光在 3 月份宣佈已通過 NVIDIA 的 SOCAM 質量評估並將開始量產，而三星電子和 SK 海力士直到 7 月份才宣佈 SOCAM 將在第三季度量產。

考慮到質量評估期，SOCAM 2 預計將於明年年初開始量產。作爲一種可以根據需要選擇性擴展內存的模塊，其採用率預計會逐漸增加。

業內人士表示，“隨着AI半導體計算性能的提升，解決數據瓶頸的內存需求也在不斷增加”，“繼HBM之後，SOCAMM也備受關注，業界非常關注在AI內存領域落後於競爭對手的三星能否扭轉局面”。

參考鏈接

https://www.etnews.com/20250914000066

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。