存儲產品新一輪漲價潮開啓?美光(MU.US)暫停報價

智通財經網
昨天

隨着AI從訓練向推理與邊緣設備延伸,大容量存儲器需求持續升溫,供應趨緊。

據臺灣經濟日報援引供應鏈消息稱,美光(MU.US)高層觀察到,客戶需求預測顯示重大供應短缺,因此公司決定緊急暫停所有產品報價,重新調整後續價格。

據悉,美光已通知客戶,DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存儲產品全部停止報價,報價暫停時間一週,且相關產品價格或將調漲20%-30%。此次涉及的不僅是消費級與工業級存儲產品,汽車電子產品漲幅更高,預計達70%。

業內分析稱,從美光此舉可以看出,在AI推理快速興起的背景下,大容量存儲產品正出現結構性變化,產品需求大幅增長。

在此之前,NAND閃存原廠閃迪Sandisk繼4月全系漲價10%之後,於上週宣佈,針對全部渠道通路和消費類產品的價格執行10%普漲。公司表示,在AI應用和數據中心、客戶端、移動三領域均出現日益增長的存儲需求的背景下,NAND閃存產品需求強勁。未來公司將繼續定期進行價格評估,並可能在未來幾個季度作出進一步調整。

可以看到,閃迪與美光本次漲價,都不是出於成本壓力,而是看到了下游的“強勁需求”。

從需求端來看,AI應用推動及數據中心、客戶端、移動領域存儲需求強勁;供應端而言,行業面臨供應緊縮,一方面NAND生產商將產量轉向下一代節點致低密度芯片供應緊缺,另一方面部分供應商因財務困境短期難擴產。

浙商證券指出,漲價趨勢是存儲行業需求回暖的必然結果:供需再平衡推動價格回升,技術迭代重塑產品價值,AI 與邊緣計算催生行業新需求。

供給端過去幾年頭部廠商主動減產,下游需求端,消費終端逐漸復甦,AI、數據中心等場景需求快速成長,推動價格分化與動態定價常態化。技術端NAND向超高層堆疊、DRAM 向 HBM 等高帶寬方向迭代,接口標準持續升級,帶動產品價值持續提升。應用層面,存力成爲 AI 基礎設施核心,催生分層存儲與可信存儲等領域的強勁需求。競爭格局上,國際巨頭主導定價權與中國廠商加速國產替代並存,行業正從傳統的“規模競爭” 轉向 “技術縱深競爭”。

本文轉載自“財聯社”;智通財經編輯:王秋佳。

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