都在搶HBM 4

半導體行業觀察

2025/09/20

公衆號記得加星標⭐️，第一時間看推送不會錯過。來源：內容綜合自kedglobal。Nvidia 正在敦促其內存供應商超越 JEDEC 官方的 HBM4 基準。據TrendForce報道，該公司已要求其 2026 Vera Rubin 平台實現每針 10Gb/s 的堆棧速度，此舉旨在提高每 GPU 帶寬，使其超越 AMD 的下一代 MI450 Helios 系統。以每針 8Gb/s（JEDEC 為 ...

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指定的速率）的速度計算，單個堆棧在新的 2,048 位接口上可提供略低於 2 TB/s 的傳輸速率。將其提升至 10Gb/s，則每個堆棧的總傳輸速率將達到 2.56 TB/s。使用六個堆棧時，單個 GPU 可釋放 15 TB/s 的原始帶寬。Rubin CPX是 Nvidia 專為處理最苛刻的推理工作負載而構建的計算優化配置，據稱在整個 NVL144 機架上可實現每秒 1.7 PB 的傳輸速率。針腳速度越高，Nvidia 在其他方面達到這些數字所需的裕度就越小。但驅動 10Gb/s HBM4 並非板上釘釘。更快的 I/O 會帶來更高的功耗、更嚴格的時序，以及對基礎芯片更大的壓力。TrendForce 指出，如果成本或散熱問題加劇，Nvidia 可能會按 HBM 層級細分 Rubin SKU。這意味着 Rubin CPX 將使用 10Gb/s 的部件，而標準 Rubin 配置將使用低速堆棧。後備方案已在考慮之中：錯開供應商資格認證流程，延長驗證窗口，以提升良率。SK海力士仍然是Nvidia的主要HBM供應商，並表示已完成HBM4的開發，並準備進行量產。該公司提到了「超過10Gb/s」的性能，但尚未公布芯片規格、功率目標或工藝細節。相比之下，三星在節點遷移方面更為積極。其 HBM4 基礎芯片正在轉向 4nm FinFET 工藝，這是一個邏輯級節點，旨在支持更高的時鐘速度和更低的開關功耗。即使 SK 海力士的出貨量更大，這也可能使三星在高端市場佔據優勢。美光已確認 HBM4 樣品，其接口為 2,048 位，帶寬超過 2 TB/s，但尚未透露是否支持 10Gb/s。AMD 的 MI450 仍處於規劃階段，但其內存規格已為人所知。預計 Helios 機架每 GPU 最高可支持 432GB HBM4 顯存，這使得 AMD 有機會在原始容量上追趕甚至超越英偉達。藉助 CDNA 4，AMD 還獲得了架構升級，旨在充分發揮 Rubin 的推理優勢。Nvidia 顯然希望內存速度更快。但它越依賴 10Gb/s HBM4，就越容易受到供應商差異、良率風險和機架級功率限制的影響，而容錯空間卻越來越小。三星為HBM4 掃清障礙三星電子公司的最新高帶寬內存獲得了英偉達公司期待已久的認證，這為下一波人工智能硬件芯片供應競爭掃清了關鍵障礙。據知情人士周五透露，這家韓國科技巨頭最近通過了英偉達對其第五代12層HBM3E產品的認證測試。此次獲批是在三星完成芯片研發約18個月後，此前該公司曾多次嘗試達到英偉達嚴苛的性能標準，但均以失敗告終。這一里程碑標誌着三星在半導體行業最具戰略意義的競爭領域之一——高帶寬內存領域——技術信譽的象徵性復甦。Nvidia 的旗艦 B300 AI 加速器以及 Advanced Micro Devices Inc. (AMD) 的 MI350 都是準備部署大容量內存的系統之一。此前，三星已向 AMD 交付了 HBM3E 12 棧芯片，但作為 AI 工作負載先進內存的主要買家，英偉達 (Nvidia) 仍未與其達成協議。業內人士表示，這一突破很大程度上歸功於三星芯片業務負責人兼副董事長全永鉉 (Jun Young-hyun) 今年早些時候做出的決定，他重新設計了 HBM3E 的 DRAM 核心，解決了早期版本一直存在的熱性能問題。消息人士稱，預計向英偉達供應的12層HBM3E芯片數量相對較少，因為繼SK海力士和美光科技之後，三星是第三家獲得批准的供應商。一位業內高管表示：「對三星來説，供貨與其説是為了收入，不如説是為了自尊。獲得英偉達的認可意味着其技術重回正軌。」然而，真正的戰場已經轉移到下一代。高帶寬內存的第六代產品HBM4預計將於明年在英偉達的下一代圖形架構Vera Rubin（Blackwell AI芯片的繼任者）中首次亮相。三星的目標是通過部署其最先進的 10 納米級 DRAM (1c) 和由其代工廠生產的 4 納米邏輯芯片來縮小與競爭對手的差距，而競爭對手採用的是 1B DRAM 和 12 納米邏輯芯片。三星的早期性能指標令人鼓舞。Nvidia已要求供應商將 HBM4 的數據傳輸速度提高到每秒 10 千兆位以上，遠高於當前 8 Gbps 的行業標準。據知情人士透露，三星已演示了 11Gbps 的速度，超過了 SK 海力士的 10 Gbps，而美光公司則難以滿足要求。三星計劃本月向 Nvidia 大量出貨 HBM4 樣品，旨在儘早獲得認證。今年4月，這家韓國芯片製造商表示，正在洽談向英偉達、博通和谷歌等主要AI芯片製造商供應定製的第六代HBM4芯片。三星表示，最早可能在2026年上半年開始向其客户大批量供應HBM4芯片。目前，三星在HBM競爭中落後於同城競爭對手SK海力士，未能與英偉達達成其先進內存芯片的訂單。SK海力士是美國AI芯片設計公司英偉達最新HBM芯片的主要供應商。為了追趕SK海力士，三星去年與其代工競爭對手台灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）合作，共同開發HBM4。分析師表示，如果下一輪HBM4芯片測試成功，三星將能夠在人工智能計算核心內存領域奪回市場份額。當被問及向英偉達供應12層HBM3E芯片的情況時，三星表示，它不會確認或評論與客户的任何交易。*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀讚好同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"}}}