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來源：內容綜合自kedglobal。

Nvidia 正在敦促其內存供應商超越 JEDEC 官方的 HBM4 基準。據TrendForce報道，該公司已要求其 2026 Vera Rubin 平臺實現每針 10Gb/s 的堆棧速度，此舉旨在提高每 GPU 帶寬，使其超越 AMD 的下一代 MI450 Helios 系統。

以每針 8Gb/s（JEDEC 爲 HBM4 指定的速率）的速度計算，單個堆棧在新的 2,048 位接口上可提供略低於 2 TB/s 的傳輸速率。將其提升至 10Gb/s，則每個堆棧的總傳輸速率將達到 2.56 TB/s。使用六個堆棧時，單個 GPU 可釋放 15 TB/s 的原始帶寬。Rubin CPX是 Nvidia 專爲處理最苛刻的推理工作負載而構建的計算優化配置，據稱在整個 NVL144 機架上可實現每秒 1.7 PB 的傳輸速率。針腳速度越高，Nvidia 在其他方面達到這些數字所需的裕度就越小。

但驅動 10Gb/s HBM4 並非板上釘釘。更快的 I/O 會帶來更高的功耗、更嚴格的時序，以及對基礎芯片更大的壓力。TrendForce 指出，如果成本或散熱問題加劇，Nvidia 可能會按 HBM 層級細分 Rubin SKU。這意味着 Rubin CPX 將使用 10Gb/s 的部件，而標準 Rubin 配置將使用低速堆棧。後備方案已在考慮之中：錯開供應商資格認證流程，延長驗證窗口，以提升良率。

SK海力士仍然是Nvidia的主要HBM供應商，並表示已完成HBM4的開發，並準備進行量產。該公司提到了“超過10Gb/s”的性能，但尚未公佈芯片規格、功率目標或工藝細節。

相比之下，三星在節點遷移方面更爲積極。其 HBM4 基礎芯片正在轉向 4nm FinFET 工藝，這是一個邏輯級節點，旨在支持更高的時鐘速度和更低的開關功耗。即使 SK 海力士的出貨量更大，這也可能使三星在高端市場佔據優勢。美光已確認 HBM4 樣品，其接口爲 2,048 位，帶寬超過 2 TB/s，但尚未透露是否支持 10Gb/s。

AMD 的 MI450 仍處於規劃階段，但其內存規格已爲人所知。預計 Helios 機架每 GPU 最高可支持 432GB HBM4 顯存，這使得 AMD 有機會在原始容量上追趕甚至超越英偉達。藉助 CDNA 4，AMD 還獲得了架構升級，旨在充分發揮 Rubin 的推理優勢。

Nvidia 顯然希望內存速度更快。但它越依賴 10Gb/s HBM4，就越容易受到供應商差異、良率風險和機架級功率限制的影響，而容錯空間卻越來越小。

三星爲HBM4 掃清障礙

三星電子公司的最新高帶寬內存獲得了英偉達公司期待已久的認證，這爲下一波人工智能硬件芯片供應競爭掃清了關鍵障礙。

據知情人士週五透露，這家韓國科技巨頭最近通過了英偉達對其第五代12層HBM3E產品的認證測試。此次獲批是在三星完成芯片研發約18個月後，此前該公司曾多次嘗試達到英偉達嚴苛的性能標準，但均以失敗告終。

這一里程碑標誌着三星在半導體行業最具戰略意義的競爭領域之一——高帶寬內存領域——技術信譽的象徵性復甦。

Nvidia 的旗艦 B300 AI 加速器以及 Advanced Micro Devices Inc. (AMD) 的 MI350 都是準備部署大容量內存的系統之一。

此前，三星已向 AMD 交付了 HBM3E 12 棧芯片，但作爲 AI 工作負載先進內存的主要買家，英偉達 (Nvidia) 仍未與其達成協議。

業內人士表示，這一突破很大程度上歸功於三星芯片業務負責人兼副董事長全永鉉 (Jun Young-hyun) 今年早些時候做出的決定，他重新設計了 HBM3E 的 DRAM 核心，解決了早期版本一直存在的熱性能問題。

消息人士稱，預計向英偉達供應的12層HBM3E芯片數量相對較少，因爲繼SK海力士和美光科技之後，三星是第三家獲得批准的供應商。

一位業內高管表示：“對三星來說，供貨與其說是爲了收入，不如說是爲了自尊。獲得英偉達的認可意味着其技術重回正軌。”

然而，真正的戰場已經轉移到下一代。

高帶寬內存的第六代產品HBM4預計將於明年在英偉達的下一代圖形架構Vera Rubin（Blackwell AI芯片的繼任者）中首次亮相。

三星的目標是通過部署其最先進的 10 納米級 DRAM (1c) 和由其代工廠生產的 4 納米邏輯芯片來縮小與競爭對手的差距，而競爭對手採用的是 1B DRAM 和 12 納米邏輯芯片。

三星的早期性能指標令人鼓舞。Nvidia已要求供應商將 HBM4 的數據傳輸速度提高到每秒 10 千兆位以上，遠高於當前 8 Gbps 的行業標準。

據知情人士透露，三星已演示了 11Gbps 的速度，超過了 SK 海力士的 10 Gbps，而美光公司則難以滿足要求。

三星計劃本月向 Nvidia 大量出貨 HBM4 樣品，旨在儘早獲得認證。

今年4月，這家韓國芯片製造商表示，正在洽談向英偉達、博通和谷歌等主要AI芯片製造商供應定製的第六代HBM4芯片。

三星表示，最早可能在2026年上半年開始向其客戶大批量供應HBM4芯片。目前，三星在HBM競爭中落後於同城競爭對手SK海力士，未能與英偉達達成其先進內存芯片的訂單。SK海力士是美國AI芯片設計公司英偉達最新HBM芯片的主要供應商。

爲了追趕SK海力士，三星去年與其代工競爭對手臺灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）合作，共同開發HBM4。

分析師表示，如果下一輪HBM4芯片測試成功，三星將能夠在人工智能計算核心內存領域奪回市場份額。

當被問及向英偉達供應12層HBM3E芯片的情況時，三星表示，它不會確認或評論與客戶的任何交易。

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