三星電子第九代V9高容量QLC NAND因設計缺陷導致性能下降，大規模商用計劃已推遲至2026年上半年。三星已於2024年4月開始量產V9 NAND，首批產品採用TLC（三層單元）結構，容量達1Tb；2024年9月起量產更高容量的V9 QLC（四層單元）NAND。然而，初期V9 QLC產品存在設計缺陷，影響性能表現，迫使公司延遲上市時間。目前三星在QLC領域進展滯後，旗艦QLC NAND仍停留在...
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