智通財經APP獲悉，東方證券發佈研報稱，近日，美光決定暫停對DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的報價，業界傳美光或對渠道存儲產品大幅度調漲20%-30%。隨着供需天平逐漸向賣方市場傾斜，DDR4、LPDDR4X價格自二季度起開啓漲價潮，並有望延續到明年上半年。與此同時，受HBM產能擠佔疊加新舊制程切換影響，下半年DDR5、LPDDR5X供應趨於緊張，DRAM市場迎來全面漲價行情。隨着原廠加大投入到HBM競爭並減少利基DRAM產能，國內利基DRAM Tier2供應商有望獲得更大市場空間。

東方證券主要觀點如下：

NAND存儲儲漲價情緒持續升溫

此前閃迪宣佈漲價，上游漲價消息帶動行業和渠道市場迅速升溫，根據CFM閃存市場數據，上週不同規格Flash wafer價格上漲1.82%-6.25%不等；SD渠道市場和行業市場價格均全面上漲，其中SSD 256GB(行業市場)價格周漲幅最高，達8.62%。供應端對部分NAND資源實施漲價策略，顯著提升了行業客戶的提貨緊迫性，考慮到下半年服務器NAND 市場備貨需求升溫，預計Q4 企業級存儲價格將繼續呈現上漲趨勢。

DRAM市場或迎來全面漲價行情

近日，美光決定暫停對DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的報價，業界傳美光或對渠道存儲產品大幅度調漲20%-30%。隨着供需天平逐漸向賣方市場傾斜，DDR4、LPDDR4X價格自二季度起開啓漲價潮，並有望延續到明年上半年。與此同時，受HBM產能擠佔疊加新舊制程切換影響，下半年DDR5、LPDDR5X供應趨於緊張，DRAM市場迎來全面漲價行情。

市場普遍擔心DRAM漲價行情持續性問題，AI帶動的需求持續性一直是本輪DRAM漲價行情的關鍵支撐，疊加供應端原廠產能切換的不可逆趨勢，本輪DRAM漲價行情具有較強持續性。

三星12層堆疊HBM3E通過英偉達認證，展望HBM4原廠競爭或加劇

據市場媒體本週報道，三星12層堆疊HBM3E產品已成功通過 英偉達認證，正式躋身其HBM 供應鏈體系。三星核心目標已瞄準下一代HBM4技術，據官方披露，依託1cDRAM技術，結合4nm邏輯芯片工藝，公司已成功研發出數據傳輸速率達11Gbps的 HBM4 產品，成為全球首個實現這一指標的廠商。

TrendForce預計SK海力士仍然會在HBM4供應初始量產階段保持其最大供應商的位置。據TrendForce報道，考慮到Instinct MI450 及「Helios」帶來的威脅，英偉達最近向Vera Rubin零部件供應商提出新的要求，希望儘快將HBM4 的速度從8Gb/s 提高到10Gb/s。

東方證券認為，HBM4時代，三星有望與SK海力士、美光實現 「同步佈局」，原廠競爭或進一步加劇。隨着原廠加大投入到HBM競爭並減少利基DRAM產能，國內利基DRAM Tier2供應商有望獲得更大市場空間。

標的方面

存儲行情景氣度持續，國內先進存儲產能持續擴充，AI服務器和AI終端有望持續帶動存儲需求增長，同時疊加國產替代機遇，存儲產業鏈相關標的： 兆易創新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、德明利(001309.SH)、佰維存儲(688525.SH)、北京君正(300223.SZ)、朗科科技(300042.SZ)、東芯股份(688110.SH)、江波龍(301308.SZ)、恆爍股份(688416.SH)、萬潤科技(002654.SZ)、深科技(000021.SZ)、同有科技(300302.SZ)、聚辰股份(688123.SH)、聯芸科技(688449.SH)等。

風險提示

下游需求增長不及預期；原廠退出進展不及預期。