【德邦產業經濟】存儲芯片：週期屬性凸顯，AI 基建打開新空間

德邦證券研究

09/21

核心觀點：存儲行業市場空間大，週期屬性強。存儲芯片是半導體行業中是僅次於邏輯芯片的第二大細分領域。存儲芯片相比其他半導體品種週期性較強，以 2023-2024 年爲例，2023 年存儲芯片市場規模爲 923 億元，同比下滑 29%，2024 年市場規模爲1655 億元，同比增長 79%。我們認爲其週期性較強的主要原因分別是：1）技術段：產品標準化程度高，存儲器的代際標準一般以 JEDEC 固態技術...

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基建帶來的需求增長。我們認為本輪存儲行業的上行週期，和 2016-2019 年、2020-2023 年有所不同，前兩輪週期本質更多依託消費端發力，而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在 AI 時代的算力基建，持續性可能更強。下游 AI 需求持續，大廠 Q3 指引積極。根據 TrendForce，25Q2 DRAM 產業整體營收為 316.3 億美元，季增 17.1%；Nand Flash 前五大品牌廠合計營收季增 22.0%，達 146.7 億美元，表現良好。綜合存儲大廠 Q2 營收情況，我們認為隨着 AI 服務器、數據中心等需求持續旺盛，存儲行業 Q3 仍將保持高景氣，其中 DRAM 的景氣度將高於 Nand  Flash。另一方面，我們認為存儲行業後續也存在一些利空需要持續關注，例如各家對於 Q3 的價格指引並不積極，這可能對行業的毛利率造成一定影響。風險提示：市場競爭風險；宏觀經濟風險；研發進度不及預期風險。本文字數1321字，閲讀大約需要4分鐘。01行業特徵市場空間大，週期屬性明顯存儲芯片是半導體行業中第二大細分市場，根據半導體權威機構 WSTS 的數據，2024 年全球半導體市場為 6305 億美元，其中存儲芯片市場為 1655 億美元，佔整個半導體市場的 26%，是僅次於邏輯芯片的第二大細分領域。存儲芯片相比其他半導體品種週期性較強，一般以 3-4 年為一個週期。以2023-2024 年為例，2023 年存儲芯片市場規模為 923 億元，同比下滑 29%，2024年市場規模為 1655 億元，同比增長 79%；相比之下 2023-2024 年半導體總體市場規模增速為-8%/20%。同時，存儲廠商自身毛利率變動也非常明顯，以存儲大廠美光、海力士為例，兩家廠商 23Q1、23Q2 毛利均為負數，而 2025 年海力士毛利率修復到 50%以上，美光毛利率則接近 40%。我們認為，存儲行業的強週期性主要有以下幾個原因：1） 技術端：產品標準化程度高。存儲器的代際標準一般以 JEDEC 固態技術協會標準為主，核心指標包括電壓、傳輸頻率、存儲容量等。以 JEDEC最近發佈的 LPDDR6 標準為例，LPDDR6 採用雙子通道架構，可實現靈活的操作，同時保持  32  字節的小訪問粒度，同時採用比 LPDDR5 更低電壓、低功耗的 VDD2 電源供電。因此，各家存儲廠商同代產品性能差距不會特別大，使得存儲芯片具有一定大宗商品屬性。2） 存儲行業為寡頭市場，全球市場基本被 3-5 家大廠壟斷。根據 TrendForce, DRAM 市場被三星、海力士、美光三家壟斷，25Q2 CR3 份額超過 90%；Nand Flash 市場主要供應商有三星、海力士、凱俠、美光、閃迪，25Q2 CR5 份額超過 90%。大廠的擴產或減產對整體行業影響較大。3） 存儲的主要下游是手機、PC 等消費電子，這些行業本身就具有周期屬性，例如 2020-2021 年手機，筆記本電腦等銷量增長明顯，而 2022-2023 年間銷量有所下滑。02歷史覆盤本輪受 AI 驅動，持續性可能更強從 2016 年開始，存儲行業經歷了三輪週期。總體來看，我們認為 2016-2019年週期核心受益 DDR4 換代帶來的價格快速上漲；2020-2023 年週期核心受益筆記本電腦/手機等消費電子產品需求增長；2024 年開啓的新週期核心受益 AI 基建帶來的需求增長。1）2016-2017 年，儘管手機、PC 等消費電子產品銷量並無明顯增長，但手機遊戲等應用的火爆對硬件內的存儲性能提出了更高的要求。以手機遊戲為例，根 據 CINNIC ， 2016/2017 年 中 國 手 機 網 絡遊戲 用 户 分 別 增 長 26%/16% 至3.52/4.07 億人，手機遊戲對手機的處理器芯片和內存芯片提出更高的要求。同時，內存正在從 DDR3 時代過度到 DDR4 時代，下游應用的需求推動 DDR4 滲透率大幅提升。原廠方面，2016 年存儲廠轉向 3D Nand Flash 擴產，加深了市場對於DDR4 供給緊張的預期。同時 2016 年三星西安工廠停電等廠務因素也進一步推高存儲器價格。2）2020-2021 年，隨着全球受到疫情影響，遠程辦公、線上網課等形式逐漸普遍，帶動筆記本電腦、手機銷量大幅增長，其中筆記本電腦出貨量在 2020 年大幅增長 27%。另外全球數據中心建設對服務器需求也有所提升，根據 IDC，2020/2021 全球服務器出貨量分別增長 3.9%和 6.9%。2022-2023 年消費電子銷量有所下滑，存儲景氣度開始下行。3）2024 年開始，海內外大廠對 AI 服務器的需求增加了存儲芯片的出貨，同時高性能的 AI 服務器又需要 DDR5、HBM 等新一代內存芯片來釋放算力芯片的性能。根據弗若斯特沙利文的數據，DDR5 在服務器上的滲透率預計在 2025 年超過 85%；同時，根據 TrendForce，HBM 單價相較 DDR5 高大約 5 倍，HBM 芯片的大規模應用進一步打開了市場空間。WSTS 預計 25/26 年存儲芯片市場規模將繼續增長至 1848/2148 億美元，同比增長 12%/16%。總體來看，我們認為本輪存儲行業的上行週期，和 2016-2019 年、2020-2023年有所不同，前兩輪週期本質更多依託消費端發力，而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在 AI 時代的算力基建，持續性可能更強。後續應繼續關注原廠價格策略、產能利用率情況、市場現貨價格情況、HBM 芯片進展等。另外，值得注意的是本輪週期中，國產玩家或已進入行業的“核心圈”。例如長江存儲第五代 3D TLC NAND 閃存的堆疊層數已達到 294 層，達到國際領先水平。隨着技術實現突破，國內存儲製造商正積極擴產，國產設備、材料等細分環節也有望充分受益。03展望後市AI 需求持續，大廠 Q3 指引積極根據 TrendForce，2025Q2  DRAM 產業因一般型 DRAM  (Conventional DRAM)合約價上漲、出貨量顯著增長，加上 HBM 出貨規模擴張，整體營收為 316.3億美元，環比增長 17.1%。ASP 隨着 PC OEM、智能手機、CSP 業者的採購動能增温，加速 DRAM 原廠庫存去化，多數產品的合約價也因此止跌翻漲。Nand Flash 方面，TrendForce 最新調查顯示 2025Q2 NAND Flash 產業雖面臨 ASP 小幅下滑，所幸原廠減產策略緩解供需失衡，疊加中、美兩大市場政策推動，整體出貨位元大幅成長，前五大品牌廠合計營收環比增長 22.0%，達 146.7億美元。從頭部廠商情況來看，SK 海力士 25Q2 營收 22.2 萬億韓元，同比增長 35.4%，環比增長 26.0%，其中 1）DRAM 業務營收 17.1 萬億韓元，同比增長 57.9%，海力士表示 Q2 DRAM 業務的出貨位元環比增速在 15%~20%左右，ASP 低個位數增長，預計 Q3  DRAM 業務將保持中低個位數的環比增長，同時保持 HBM 全年銷量翻倍的預期；2）Nand Flash 業務營收 4.7 萬億韓元，同比下滑 9.8%，出貨位元環比增速超過 70%，ASP 有高個位數的下滑，預計 Q3  Nand  Flash 業務環比增長比較有限。綜合來看，海力士認為 25H1 需求增長強勁，定價條件也比較有利。鑑於穩定的客户庫存水位和需求增長，以及新產品發佈推動需求增長，25H2 需求大幅回調的可能性較低。三星電子 25Q2 營收 74.6 萬億韓元，同比增長 0.7%，環比下滑 5.8%，其中存儲業務營收 21.2 萬億韓元，同比下滑 2.5%，環比增長 11.0%。三星表示 Q2 HBM3E 和 DDR5 產品出貨繼續增加以滿足服務器的需求，同時延遲的數據中心項目恢復導致服務器 SSD 銷售迅速增加。展望 25H2，三星表示受 AI 服務器需求增加，128G DDR5 以及 24G GDDR7 銷售會繼續增長。美光 25Q2（25Q3 財年）營收 93 億美元，同比增長 36.6%，環比增長 15.5%，其中 1）DRAM 業務營收 71 億美元，同比增長 51%，環比增長 15%，出貨位元環比增長超過 20%，ASP 有中低個位數的環比下滑；2）Nand Flash 業務營收 22億美元，同比增長 4%，環比增長 16%，出貨位元環比增長 15%~20%，ASP 有高個位數的環比下滑。數據中心領域，美光預計 2025 年服務器市場出貨量將實現中個位數增長，這主要由人工智能服務器的顯著增長推動，同時自身 HBM3E 12H 產品的良率和產能提升進展極為順利，預計將在 25Q4（財年）實現出貨量的大幅增長。展望後市，美光認為 2025 年 DRAM 行業位元需求增長將達到高 15%-20%，NAND 行業位元需求增長為 10%~15%區間。公司預計 25Q3 營收 104~110 億美元，中值同比增長 38.1%，中值環比增長 15.0%。綜合以上大廠營收情況，我們認為隨着 AI 服務器、數據中心等需求持續旺盛，存儲行業 Q3 仍將保持高景氣，其中 DRAM 的景氣度將高於 Nand Flash，主要原因在於 DRAM 和 AI 產業鏈綁定更加緊密，DDR5 以及 HBM 需求量大同時單價更高。另一方面，我們認為存儲行業後續也存在一些利空需要持續關注，例如存儲位元需求預計仍將保持增長，但是各家對於 Q3 的價格指引並不積極，這可能對行業的毛利率造成一定影響。04風險提示市場競爭風險；宏觀經濟風險；研發進度不及預期風險報告信息外發研報：《存儲芯片：週期屬性凸顯，AI 基建打開新空間》外發時間：20250919分析師：程強S0120524010005陳夢潔S0120524030002特別提示：《證券期貨投資者適當性管理辦法》於2017年7月1日起正式實施，通過微信訂閲號發佈的本圖文消息僅面向德邦證券客户中的專業投資者，請勿對本圖文消息進行任何形式的轉發。因本資料暫時無法設置訪問限制，若您並非德邦證券客户中的專業投資者，為保證服務質量、控制投資風險，還請取消關注，請勿訂閲、接收或使用本訂閲號中的任何信息。我們對由此給您造成的不便表示誠摯歉意，非常感謝您的理解與配合！","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"1","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"}}}