TradingKey - 美光科技（納斯達克：MU）將於2025 年 9 月 23 日（週二）收盤後發佈 2025 財年第四季度財報，網絡電話會議定於美國東部時間當天下午 4 點 30 分舉行。作爲全球領先的存儲芯片供應商，美光的產品涵蓋 DRAM、NAND 閃存，以及用於 AI 加速器的高帶寬內存（HBM）等先進存儲產品，在滿足生成式 AI 和大型語言模型背後數據中心日益增長的需求方面，發揮着關鍵作用。受存儲產品價格回升及 AI 驅動需求強勁的推動，該公司股價今年以來已累計上漲約 90%。

在競爭壓力不斷加劇的背景下，本季度將成爲檢驗美光能否持續實現增長和利潤率提升的關鍵節點。Counterpoint Research 2025 年第二季度數據顯示，美光在 HBM 市場佔據約 21% 的份額；SK 海力士以 62% 的份額領跑，三星則以 17% 的份額位居第三，較去年同期的 41% 大幅下滑。不過，三星近期在技術上的突破以及獲得英偉達認證的進展，可能會改變市場格局，使競爭愈發激烈。

來源：TradingKey

市場預期

數據來源：美光科技、Zacks、TradingKey

投資者關注重點

AI 基礎設施與 HBM 業務：HBM 是一種特殊的堆疊式 DRAM，能提供超高速數據訪問能力，這對 AI GPU 和加速器至關重要，也是英偉達等廠商旗下模型訓練與推理工作的核心支撐。目前，美光與 SK 海力士、三星共同躋身全球三大 HBM 供應商之列。其 HBM 產能訂單已排至 2026 年，預計本季度 HBM 業務將顯著拉動 DRAM 營收增長，助力該板塊實現 60% 左右的同比增幅。市場將密切關注美光 HBM 產能提升進展，包括下一代 HBM4 技術的研發情況。

供需格局與產品定價：經過多年庫存過剩後，當前存儲市場供需關係已趨於緊張，推動DRAM 價格上漲，爲美光毛利率提供支撐。本季度財報應能體現出毛利率改善的態勢，市場各方將重點關注美光對 2026 財年價格走勢、位出貨量的指引，以及 AI 需求能否抵消 PC 和移動領域的週期性疲軟。

NAND 與新興業務板塊：儘管客戶端固態硬盤（SSD）需求穩定及企業級存儲升級需求增長，受市場供過於求影響，NAND 業務利潤率仍面臨壓力。展望未來，美光下一代 3D NAND 技術的研發，以及新興存儲級內存業務的推進，是其實現中期持續增長的關鍵。

訂單儲備與產能擴張：美光的剩餘履約義務（RPO）預計會爲其提供了強勁的多季度營收保障，這也將反映出市場對其存儲產品的旺盛需求。2025 財年資本支出預計約爲 140 億美元，主要投向先進製程節點和 HBM 製造產能擴張。隨着 AI 基礎設施建設持續拉動存儲需求，這筆大額投資將爲美光未來增長提供支撐。市場將關注美光在美國、中國臺灣和日本的工廠擴建進展，以及產能利用率情況，這些信息將反映出在 AI 基礎設施快速建設的背景下，新產能轉化爲營收的速度。

利潤率、現金流與資本配置：受 DRAM 定價走強和規模效率提高的支撐，美光預計第四季度的營業利潤率將在 40% 左右。2025 財年資本支出仍維持高位，主要用於先進 DRAM 節點和 HBM 工廠建設，這可能會對短期自由現金流造成一定限制。目前，美光仍在推進股票回購計劃（已獲批額度超 70 億美元），同時維持股息發放，此外在競爭激烈的存儲市場中，公司也在着重加強成本控制。

近期動態與監管趨勢

上調業績指引：2025 年 8 月，受 DRAM 價格走強及業務執行表現穩健推動，美光上調了第四季度業績指引。這一舉措表明，儘管市場存在週期性波動風險，但 AI 驅動的需求依然強勁。

競爭壓力：近期三星先進12 層 HBM3E 芯片通過英偉達質量測試的消息，曾導致美光股價短暫下跌約 3%-4%。儘管美光的 HBM 產品已通過認證並在主要客戶中逐步放量，但三星這一進展凸顯出頭部供應商間的激烈競爭，尤其在英偉達生態體系內，可能會對產品定價和市場份額產生影響。

監管環境：美光獲得了美國《芯片與科學法案》提供的61 億美元補貼，用於支持本土工廠擴建。不過，美國對中國實施的先進半導體出口管制，可能會限制美光部分營收來源。此外，與 AI 相關的數據隱私及數據主權監管政策，或有利於美光在受監管行業推廣企業級存儲產品，但合規要求也會增加業務複雜度，並可能延長訂單交付週期。

結論

美光2025 財年第四季度財報，將成爲觀察存儲市場定價動態及需求韌性的重要窗口，數據中心和AI 相關支出是當前需求的主要驅動力，不過 HBM 等高性能存儲領域的競爭壓力也在對沖這一利好。若 DRAM 價格能持續改善且出貨量實現穩健增長，可能會推動業績超出市場預期；但利潤率壓力或特種存儲領域競爭加劇，則需警惕風險。對於投資者而言，應重點關注美光的業績指引及管理層解讀，從中捕捉行業持續向好的信號，或潛在風險的早期跡象。

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