天眼查App顯示，2025-09-23，“鍵合結構及其形成方法”（patentName）正式進入專利的公佈階段。申請人爲中芯國際集成電路製造（北京）有限公司,中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，該項半導體器件專利涉及集成電路製造中的鍵合結構製備技術場景。據專利信息顯示，通過僅一次半曝光處理結合單張掩膜即可形成不同深度的開口結構，顯著優化工藝流程；後續在第一開口和第二開口內形成互連結構，使得晶圓表面各處圖形化密集度相近，提升晶圓表面平坦度。發明人爲史魯斌。一種鍵合結構及其形成方法，方法包括：提供第一基底，包括第一區和第二區；在第一基底表面形成第一器件層，第一器件層內具有導電層；在第一器件層表面形成阻擋層結構和第一介質層；在第一介質層表面形成初始圖形化層；對初始圖形化層進行半曝光處理以形成圖形化層，圖形化層內具有位於第一區上的第一圖形開口和位於第二區上的第二圖形開口；以圖形化層爲掩膜，形成第一開口和第二開口，第一開口暴露出導電層的部分表面，第二開口暴露出阻擋層結構的部分表面。僅通過一次半曝光處理，使用一張掩膜形成不同深度第一開口和第二開口，簡化工藝流程；後續在第一開口和第二開口內形成互連結構，使得晶圓表面各處圖形化密集度相近，提升晶圓表面平坦度。