據報道，日前，清華大學國家科技重大專項「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」召開關於「光刻機雙工件台系統樣機研發」項目驗收會。經過嚴格評議，專家組對項目給予了高度評價，一致同意該項目通過任務驗收和財務驗收，認為該項目關鍵技術達到國際水準。

業內認為，清華大學團隊的磁懸浮雙工件台技術為EUV光刻機提供了新路徑。傳統ASML（阿斯麥）路線依賴氣浮導軌，而磁懸浮技術在精度、能耗等方面更具優勢。若國產技術在EUV場景驗證成功，可能引發光刻機技術路線的「範式轉換」。

相關專家表示，清華大學雙工件台技術的突破是中國半導體設備自主化的重要里程碑，但其產業化進程仍需在材料、工藝、產業鏈協同等方面持續突破。