蘇州女博士，幹出870億半導體王國

創業邦

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編者按：本文來自微信公衆號邱處機（ID：qiuchuji_1993），作者：邱鑫浩，創業邦經授權轉載。2025年夏天，一份英偉達供應鏈名單，在半導體行業引起軒然大波。在清一色歐美日老牌廠商中，低調出現了一個陌生的中國名字：英諾賽科。從美國宇航局首席科學家，到中國氮化鎵功率半導體全球第一的創業者，英諾賽科創始人駱薇薇用八年時間，完成了從0到1的突破和逆襲。截至2025年9月23日收盤，英諾賽科市值...

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邱處機（ID：qiuchuji_1993），作者：邱鑫浩，創業邦經授權轉載。2025年夏天，一份英偉達供應鏈名單，在半導體行業引起軒然大波。在清一色歐美日老牌廠商中，低調出現了一個陌生的中國名字：英諾賽科。從美國宇航局首席科學家，到中國氮化鎵功率半導體全球第一的創業者，英諾賽科創始人駱薇薇用八年時間，完成了從0到1的突破和逆襲。截至2025年9月23日收盤，英諾賽科市值已高達875億港元，成為了全球氮化鎵功率半導體領域的龍頭。而這一切，始於2015年那個不被看好的決定。「跳入火坑」2015年，當駱薇薇決定回國創業時，身邊幾乎沒有人看好她的選擇。有人甚至直言不諱地告訴她：回國創業是「火坑」，不要往裏跳。最終，只有一名員工願意追隨她回國。駱薇薇畢業於新西蘭梅西大學應用數學專業，擁有博士學位。在美國宇航局（NASA）工作15年後，她先後創辦了兩家以新材料為核心業務的高科技公司。憑藉對行業的判斷，駱薇薇在2015年帶着第三代半導體氮化鎵的夢想回到了中國。彼時，全球第三代半導體發展仍處於早期階段，氮化鎵還沒有大規模商業化應用。更讓業內驚訝的是，駱薇薇選擇了一條與眾不同的技術路徑——當大多數企業還在採用6英寸或4英寸工藝時，她毅然決定直接攻關8英寸硅基氮化鎵晶圓技術。這一選擇背後是巨大的風險與回報。相較於6英寸硅基氮化鎵晶圓，8英寸的晶圓晶粒產出數能夠增加80%，單一器件成本可降低30%。但實現難度也呈指數級增加，按照專業評估，這可能需要9年時間才能實現量產。「經驗不會成為發展的瓶頸和壁壘。」駱薇薇憑藉在NASA十五年的工作經驗，堅定地認為這個世界上並沒有太多不可完成的事情。2015年12月，駱薇薇在珠海成立公司，作為小規模生產基地運營。隨着研發取得進展，產能逐漸無法滿足需求。2017年，她在蘇州正式成立英諾賽科，轉向大規模產業化。駱薇薇帶領英諾賽科攻克了一個又一個技術難關。公司不僅成為全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業，也是全球唯一能夠規模量產全電壓譜系硅基氮化鎵半導體產品的公司。這一突破填補了行業空白，完善了我國半導體產業鏈的佈局。與6英寸硅基氮化鎵晶圓相比，英諾賽科的8英寸晶圓具備明顯的成本優勢，這讓它在市場競爭中佔據了有利位置。根據弗若斯特沙利文的資料，按2023年收入計算，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市場份額高達33.7%。若按折算氮化鎵分立器件出貨量計算，英諾賽科更是穩居全球第一，2023年市佔率達到42.4%。英諾賽科的產品，目前覆蓋消費電子、可再生能源、工業應用、汽車電子及數據中心等多個領域。其中，氮化鎵分立器件及集成電路的銷售增長迅猛，2024年營業額增長87.8%至3.61億元，佔總營業額的43.5%。資本助力英諾賽科上市之前，完成了五輪孖展，總額超過60億元。這一數字在中國半導體創業公司中比較罕見。值得注意的是，在C輪孖展中，寧德時代創始人曾毓羣以個人名義向英諾賽科投資了2億元。截至上市前，曾毓羣已將這部分股權交由其妻子持有，持股比例為1.78%。英諾賽科能夠吸引如此多資本的支持，不僅因為其技術領先，也因其產品在新能源車領域有廣泛應用。事實上，在英諾賽科2023年近6億元的營收中，來自寧德時代的貢獻度超過了3成。另外，駱薇薇選擇將公司落户蘇州，絕非偶然。蘇州早在2002年就開始推動集成電路設計、製造、封裝測試等關聯產業的佈局和落地。如今，蘇州已成為國內第三代半導體產業資源集聚度和產業化程度最高的區域之一。「機會總是留給有準備的人。」蘇州在集成電路產業的長期佈局，使其成為英諾賽科發展的理想之地。從英諾賽科落地蘇州的起始資金，到IPO的基石投資，蘇州都給予了大力支持。2024年12月，英諾賽科在港交所主板掛牌上市，發行價為30.86港元/股，募資總額約14億港元。此次上市引入了意法半導體、江蘇國企混改基金等四名基石投資者，合計認購金額1億美元，超過了IPO募資總額的一半。上市後，英諾賽科繼續擴大產能優勢。2025年7月，公司宣佈將8英寸氮化鎵晶圓月產能從1.3萬片擴大至2萬片。此前英諾賽科曾表示，未來五年內計劃將月產能提升到7萬片。與此同時，英諾賽科宣佈與意法半導體簽署聯合開發協議，共同推動氮化鎵技術在消費電子、數據中心、汽車及工業電源系統等領域的應用。根據協議，英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區的製造產能生產其氮化鎵晶圓，意法半導體也可利用英諾賽科在中國的製造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。這一合作不僅增強了英諾賽科的供應鏈靈活性，也體現了國際半導體巨頭對其技術實力的認可。廣闊前景氮化鎵作為第三代半導體材料的佼佼者，憑藉高頻、高耐壓和高電子遷移率等性能優勢，在電動汽車、數據中心、光伏發電站等領域展現出廣闊的應用前景。根據弗若斯特沙利文的數據，預計到2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規模將達到501億元人民幣，佔全球功率半導體市場的10.1%。英諾賽科的產品在新能源汽車領域已有廣泛應用。其車規級GaN芯片已進入比亞迪、蔚來等車企供應鏈，覆蓋車載激光雷達、OBC（車載充電器）等中低功率場景。2025上半年，英諾賽科車規級芯片交付量同比增長128%。而在AI與數據中心領域，與英偉達達成合作後，英諾賽科將為其800V直流電源架構，提供全鏈路的氮化鎵電源解決方案，這讓它有望佔據未來數據中心供電系統改造市場20%-30%的份額。另外，英諾賽科在消費電子、人形機器人等領域也展現出強勁的增長勢頭。儘管英諾賽科目前仍處於虧損狀態，但虧損幅度在逐步收窄。財報顯示，公司2025上半年實現銷售收入5.53億元，同比增長43.4%；淨虧損約4.29億元，同比收窄12.16%。更重要的是，公司毛利率為6.8%，對比2024年同期實現毛利率轉正，顯示出盈利能力的顯著提升。隨着全球第三代半導體市場進入繁榮期，英諾賽科正迎來發展的黃金階段。駱薇薇表示，公司將繼續擴大產能、加強研發，並拓展全球銷售網絡。這位從美國宇航局走出的女科學家，已經在中國半導體產業史上寫下了濃墨重彩的一筆。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"}}}