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臺積電近日公佈了下一代製程的細節，顯示A14（1.4nm）工藝開發正取得突破性進展，提前達成良率目標，相較 2nm 實現重大技術升級。

臺積電A14 工藝將在性能與能效比上超越 N2 製程

當業界探討2nm 以下製程時，除臺積電外，僅有少數廠商跟進。英特爾代工業務（Intel Foundry）雖披露了 14A 工藝規劃，但尚未公佈性能預期或良率數據。而根據臺積電通過分析師 Ray Wang 透露的信息，其 A14 製程已提前達成良率目標。更關鍵的是，臺積電還公佈了相較N2 製程的性能提升幅度 —— 數據堪稱驚豔。

臺積電A14 製程有望成爲里程碑式的技術突破，從性能層面推動摩爾定律延續與計算領域創新。值得關注的是，當芯片行業仍在 3nm 等現有製程上攻堅克難時，臺積電已前瞻佈局未來數年的製程技術，這正是其維持行業主導地位的核心策略。以下結合最新披露細節，解析 A14 對臺積電的戰略意義：

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技術升級亮點：速度提升15%，能效比躍升 30%，架構全面革新

臺積電表示，與2nm 製程相比，A14 工藝在相同功耗下可實現15% 的速度提升，等效能效比提升達30%。該製程將採用第二代GAAFET 納米片晶體管與全新NanoFlex Pro 標準單元架構，相較 N2 製程密度提升20%。多項核心指標的同步優化，印證A14 將成爲推動性能升級的關鍵製程。

消費電子領域的潛在影響與量產規劃

蘋果、英偉達、AMD 等客戶已計劃採用 A14 工藝，其對終端產品的技術賦能值得期待。臺積電預計 A14 將於2028 年投入量產，這一時間表進一步鞏固了其在先進製程領域的領先優勢。

來源EETOP